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单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级 第四章 场效应管放大电路BJT的缺点:输入电阻较低 温度特性差场效应管(FET):利用电场效应控制其电流的半导体器件优点:输入电阻非常高(高达1071015欧姆)噪声低热稳定性好 抗辐射能力强工艺简单便于集成根据结构不同分为:结型场效应管(JFET)
5 场效应管放大电路4偏置: MOSFET放大电路 和上式联立求解VP(UGS(off) ) < uGS <0且uDS >0的情况自偏置电路
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单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级4 场效应管放大电路4.1 结型场效应管4.3 金属-氧化物-半导体场效应管4.4 场效应管放大电路4.5 各种放大器件电路性能比较4.2 砷化镓金属-半导体场效应管类比:与BJT放大电路自学(归纳比较)MOS管简单介绍掌握场效应管的工作原理注意与BJT的异同点?1多级放大电路输入级—Ri?中间放大级—AV ?输出
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单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第四章 场效应管放大电路 引言: 1.场效应管的特点 (1)它是利用改变外加电压产生的电场强度来控制其导电能力的半导体器件 (2)它具有双极型三极管的体积小重量轻耗电少寿命长等优点 (3)还具有输入电阻高热稳定性好抗辐射能力强噪声低制造工艺简单便于集成等特点 (4)在大规模及超大规模集成电路中得到了广泛的应用 2.场效应
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级§2.6 场效应管放大电路一场效应放大电路的三种基本组态二场效应管放大电路的静态偏置及静态分析三共源场效应管放大电路的动态分析场效应管通过栅-源电压控制漏极电流因此和BJT一样可以实现
单击此处编辑母版标题样式abcd单击此处编辑母版文本样式abvd第二级第三级第四级第五级4.1 结型场效应管4.2 金属-氧化物-半导体场效应管4.4 场效应管放大电路4 场效应管放大电路4.3 场效应管的主要参数概述 场效应管是通过改变外加电压产生的电场强度来控制其导电能力的半导体器件 它不仅具有双极型三极管的体积小重量轻耗电少寿命长等优点而且还具有输入电阻高热稳定性好抗辐射能
? 三种基本放大电路的性能比较vGSQ点:可解出Q点的VGS ID VDS (2)高频模型(2)中频电压增益 例 共漏极放大电路如图示试求中频电压增益输入电阻和输出电阻(4)输出电阻BJTCE: 结型场效应管CE:则电压增益为
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