基本光刻工艺流程智佳军一、简介光刻工艺是一种用来去掉晶圆表面层上所规定的特定区域的基本操作。光刻工艺首先是在晶园表面建立尽可能接近设计规则中所要求尺寸的图形;其次是在晶园表面正确定位图形。因为最终的图形是用多个掩膜版按照特定的顺序在晶园表面一层一层叠加建立起来的。图形定位的要求就好像是一幢建筑物 每一层之间所要求的正确对准。如 果每一次的定位不准,将会导 致整个电路失效。除了对特征 图形尺寸和图
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第 7 章 光学光刻光刻曝光刻蚀光源曝光方式 7.1 光刻概述 评价光刻工艺可用三项主要的标准:分辨率对准精度 和生产效率涂光刻胶(正)选择曝光 光刻工艺流程显影(第 1 次图形转移)刻蚀(第 2 次图形转移)光源紫外光(UV)深紫外光(DUV) g 线:436 nm i
下面讨论分辨率与灵敏度的关系当入射电子数为 N 时由于随机涨落实际入射的电子数在 范围内为保证出现最低剂量时不少于规定剂量的 90也即 由此可得 因此对于小尺寸曝光区必须满足 通常正胶的对比度要高于负胶 2正性光刻胶 主要以重氮醌为感光化合物以
微电子关键性材料-光刻胶的现状与未来KrF248nm256M655-100wph设备成本中浸入式光刻在2006年完成了量产准备工作AMD与IBM宣布成功开发第一代水浸式光刻工艺并证实浸入式设备的成品率与干法相当ASML发布高达的水浸式ArF曝光设备XT:1900iNikon也推出NA为的水浸式光刻系统NSR-S610C浸入式光刻在45nm量产已是板上钉钉了ArF光刻成功地扩展到第四代2006年业界
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级微电子工艺学Microelectronic Processing第六章 光刻与刻蚀工艺张道礼 教授Email: zhang-daoli163Voice: 87542894图形转移光 刻刻 蚀薄膜制备掺 杂 扩散掺杂离子注入掺杂物理气相淀积化学气相淀积外 延微电子单项工艺6.1 概述
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级光刻工艺和刻蚀工艺未来几代硅技术对光刻的要求DRAM供货的首年199719992003200620092012DRAM位片256M1G4G16G64G256G最小特征尺寸nm-孤立线条MPU200140100705035最小特征尺寸nm-密集线条DRAM2501801301007050接触孔2802001401108060栅C
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单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级Jincheng Zhang掌握光刻胶的组成PR 和 –PR的区别描述光刻工艺的步骤四种对准和曝光系统Explain relationships of resolution and depth of focus to wavelength and numerical aperture.光刻概述 Photolithography
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第四章 光 刻理学院 刘德雄2011年3月6本章主要内容Photolithography(光刻)掌握光刻胶的组成PR 和 –PR的区别描述光刻工艺的步骤四种对准和曝光系统Explain relationships of resolution and depth of focus to wavelength and
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级ConfidentialCopyright ? Visionox 2001-2008OLED光刻工艺 ---------------------2008-5-27 目
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