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第3章 场效应管(FieldEffect Transistor)及其放大电路 三极管具有电流控制作用,它有一个严重的缺点,输入电阻低。场效应管:工艺简单,占用芯片面积小, 输入阻抗高(107Ω以上)分类FET场效应管JFET结型MOSFET金属氧化物N沟道P沟道增强型耗尽型N沟道P沟道N沟道P沟道(耗尽型)311N沟道增强型MOS管1、结构示意图和符号N+N+以P型硅为衬底二氧化硅(SiO2)绝
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第五讲 场效应管第五讲 场效应管一结型场效应管二绝缘栅型场效应管三主要参数四场效应管与晶体管的比较五举例说明场效应管:是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件场效应管优点:体积小重量轻寿命长等且输回路的内阻高噪声低热稳定性好抗幅射能力强且比后着耗电省 场效应管分为:结型和绝缘型两种不同的结构一结型场效应管(以
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单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第三章 场效应管放大器绝缘栅场效应管结型场效应管 3.2 场效应管放大电路效应管放大器的静态偏置效应管放大器的交流小信号模型效应管放大电路3.1 场效应管1 3.1 场效应管 BJT是一种电流控制元件(iB iC)工作时多数载流子和少数载流子都参与运行所以被称为双极型器件 场效应管(Fie
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级3.2 结型场效应管3.3 场效管应用原理3.1 MOS场效应管第三章 场效应管概 述 场效应管是另一种具有正向受控作用的半导体器件它体积小工艺简单器件特性便于控制是目前制造大规模集成电路的主要有源器件场效应管与三极管主要区别: 场效应管输入电阻远大于三极管输入电阻 场效应管是单极型器件(三极管是双极型器件)场效应
单击此处编辑母版标题样式(1-) 3场效应管(FET)放大器5.3 场效应管的参数及特点5.1 结型场效应管(JFET)5.2 绝缘栅场效应管(MOSFET)5.4 场效应管放大器11FET与BJT的区别结型场效应管(JFET)金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)2场效应管的分类:电压控制元件输入电阻高温度稳定性好慨述BJTFET双极性载流子参与导电电流控制元件输入电阻低温度稳定
3–1结型场效应管 如图3–2所示如果在栅极和源极之间加上负的电压UGS而在漏极和源极之间加上正的电压UDS那么在UDS作用下电子将源源不断地由源极向漏极运动形成漏极电流ID因为栅源电压UGS为负PN结反偏在栅源间仅存在微弱的反向饱和电流所以栅极电流IG≈0源极电流IS=ID这就是结型场效应管输入阻抗很大的原因 二输出特性曲线
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级 引言:单极型半导体三极管(常用) 场效应管(简称FET)是利用输入电压产生的电场效应来控制输出电流的所以又称之为电压控制型器件它工作时只有一种载流子(多数载流子)参与导电故也叫单极型半导体三极管因它具有很高的输入电阻能满足高内阻信号源对放大电路的要求所以是较理想的前置输入级器件它还具有热稳定性好功耗低噪声低制造工艺简单便
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级1.4.1 结型场效应管1.4.3 场效应管的主要参数1.4.4 场效应管与晶体管的比较 1.4.2 绝缘栅型场效应管1.4 场效应管 场效应半导体三极管是仅由一种载流子参与导电的半导体器件是一种用输入电压控制输出电流的的半导体器件从参与导电的载流子来划分它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟
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