基本的传输门信号传输延迟传输门逻辑(pass-transistor logic)传输门逻辑版图举例传输门逻辑举例pass-transistor logic 的逻辑自动生成小结BA 输入信号可以从栅极源极漏极输入 使用传输门构成传输门逻辑ac11c1NMOS传输门?HVDD-VTHA传输门逻辑ANDNANDA相同的电路结构输入信号不同时构成不同的逻辑功能传输门逻辑举例SOS1B1A018Tr1
《数字电子技术基础》第五版二举例D210两个概念:存储矩阵的每个交叉点是一个存储单元存储单元中有器件存入1无器件存入0存储器的容量:字数 x 位数三快闪存储器(Flash Memory)为提高集成度省去T2(选通管)改用叠栅MOS管(类似SIMOS管)适用于每片RAMROM位数够用而字数不够时011011100100D210
3DI数据总线DB静态RAM动态 随机存储器Flash Memory快擦型存储器: 是不用电池供电的高速耐用的非易失性半导体存储器结构与EPROM 相同其特点是:可以整体电擦除(时间1S)和按字节重新高速编程是完全非易失性的可以完全代替E2RPOM能进行高速编程如: 28F256芯片每个字节编程需100μs 整个芯片最少可以擦写一万次通常可达到10万次CMOS 低功耗最大工作电流30mA与E
本征半导体晶体结构示意图如图所示由图可见各原子间整齐而有规则地排列着使每个原子的4个价电子不仅受所属原子核的吸引而且还受相邻4个原子核的吸引每一个价电子都为相邻原子核所共用形成了稳定的共价键结构每个原子核最外层等效有8个价电子由于价电子不易挣脱原子核束缚而成为自由电子因此本征半导体导电能力较差 图结的形成(a)多子扩散示意图(b)PN结的形成
第7章 半导体存储器7-1 概述7-2 只读存储器(ROM)7-3 随机存取存储器(RAM)7-4 存储器容量的扩展本章目标要求掌握各种类型的只读存储器的功能特点掌握半导体存储器的分类和容量掌握各种类型的随机存取存储器的功能特点掌握存储器容量的扩展方法半导体存储器是一种能存储大量二值信息的半导体器件存储器与寄存器的区别寄存器内部由触发器构成存储容量小例如1K需要1024个触发器存储器存储容
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第七章 半导体存储器本章的重点: 1.存储器的基本工作原理分类和每种类型存储器的特点 2.扩展存储器容量的方法 3.用存储器设计组合逻辑电路的原理和方法 因为存储器几乎都作成LSI器件所以这一章的重点内容是如何正确使用这些器件存储器内部的电路结构不是课程的重点本章的难点: 在本章的重点内容中基本没有难点
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第七章 半导体存储器7.1 概述7.2 只读存储器ROM7.3 随机存储器RAM7.4 存储器容量的扩展 7.1 概述 半导体存储器能存储大量二值信息是数字系统不可缺少的部分 半导体存储器由大量存储单元组成每个存储单元中存放一位二进制代码称为位一个或若
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第七章 半导体存储器7.1 概述7.2 只读存储器(ROM)7.3 随机存储器(RAM)7.4 存储器的扩展 7.5 用存储器实现组合逻辑函数补充:可编程逻辑阵列PLA第七章 半导体存储器一存储器定义二存储器两个重要性能指标三分类及特点四存储器与寄存器比较7.1 概述一定义:是一种能存储大量二值信息(或称为二值数据)的半
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第七章 金属和半导体接触7.1 金属半导体接触及其能级图7.2 金属半导体接触整流理论7.3 少数载流子注入和欧姆接触7.1 金半接触及其能带图0k时金属:E<EF时能级填满 E>EF时能级全空一定温度T下金属中EF附近电子热激发跃迁到E>EF的能级金属内部的电子好像在势阱中运动
第七章 半导体存储器 7.1 概述 7.2顺序存取存储器(SAM) 7.3随机存取存储器(RAM) 7.4只读存储器(ROM) 存储器的存储媒介有多种应用范围也非常广泛软磁盘磁带硬盘内存条光盘优盘数码相机用SM卡7.1 存储器概述7.1 存储器概述存储器:专用于存放大量二进制数码的器件按材料分类 1) 磁介质类——软磁盘硬盘磁带… 2) 光介质类——CDDVDMO… 3) 半导体介质类——
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