单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级ZnO掺杂能带示意图第3章 半导体异质结pn结的两边是采用同一种材料称为同质结 由两种不同的半导体单晶材料组成的结则称为异质结 N和P表示宽带半导体n和p表示窄带半导体p型GaAs与P型AlGaAs 同型异质结 p型GaAs与N型AlGaAs异型异质结 3.1 异质结及其能带图一些Ⅲ-Ⅴ族化合物及几种Ⅱ-Ⅵ族化合物的禁带宽
半导体,本征半导体,非本征半导体 半导体: 最外层价电子填满了价带,导带没有电子,有一定带隙宽度。在一定条件下使价带中的电子获得能量跃迁到导带中,在价带中形成空穴,在导带中出现电子时,半导体导电。 本征半导体:不掺杂的半导体。此时的费米能级在带隙的中间。价带中的电子靠热激发或光激发直接跃迁到导带,使空穴和电子的浓度相等。随着温度的升高本征半导体的导电性能变大。非本征半导体:是掺杂的半导体。由于
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第六章 金属半导体接触和异质结习题1. 画出由p型半导体和金属构成的肖特基势垒在施加正想和反向电压的能带图分别标出扩散流漂移流肖特基热电子电流的方向和相对大小2. 设金属与半导体是理想的肖特基接触即肖特基模型适用在以下两种情形下:(a)金属和半导体直接接触(b)相距较远通过一很细的导线连接试分析并用图示意指出MS接触形成的接触电势差在热平衡时的分布情形3. 试分析说明金属-n型半导体肖特基势垒在正
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无半导体的异质接面电晶体可望取代硅美国密西根理工大学(Michigan Tech)透过结合石墨烯的高电子迁移率与氮化硼碳奈米管(BNNT)的绝缘层特性期望开发出尺寸较矽(Si)更小且更具热效能的无半导体(semiconductor-less)异质接面电晶体从而在国际半导体技术蓝图(ITRS)预期的2028年大限时接棒我们对于这个研究主题的兴趣在于打造完全不使用半导体的电子元件尽管其他人正致于解决矽
半导体的导电特性 P型半导体与N型半导体的特征 PN结及其单向导电特性重点内容1一半导体的导电特性价电子4空穴自由电子abc444444444 共价键的两个价电子 (a)硅和锗原子的简化结构模型 (b)晶体的共价键结构及电子空穴对的产生
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