Click 光电器件的分类内光电效应真空光电管光电三极管4光敏电阻符号入射光光敏电阻在弱光辐射下光电导灵敏度Sg与光敏电阻两电极间距离l的平方成反比 在强辐射作用下Sg与l的二分之三次方成反比因此在设计光敏电阻时尽可能地缩短光敏电阻两极间距离1-光电导材料2-电极3-衬底材料911缺点: 强光下光电线性度较差弛豫时间过长频率特性差光敏电阻特性参数I光mA16温度特性19 光敏电阻的时间常数
Click 热电器件响应波长有选择性一般有截止波长超过该波长器件无响应本章重点: 光电检测器件的噪声1.热噪声:称约翰逊噪声即载流子无规则的热运动造成的噪声2.散粒噪声:穿越势垒的载流子的随机涨落所造成的噪声3.产生-复合噪声:载流子的产生率和复合率在某个时间间隔会在平均值上下起伏这种起伏引起的载流子浓度的起伏产生均方噪声电流 4. 1f噪声: 闪烁噪声或低频
Click to edit Master title styleClick to edit Master text stylesSecond levelThird levelFourth levelFifth level第五章 光电直接检测系统41320221典型的光电检测系统直接检测系统(光强调制)莫尔条纹测长仪激光测距仪激光准直环境污染检测系统光外差检测系统激光干涉测长仪(相位调制)多普勒测速
第1温度变化与自发极化强度有何关系答:晶体的整体温度的微小变化ΔT产生自发极化强度Ps的变化可表示为ΔˉPs=ˉPΔT式中ˉP为热释电系数矢量一般有三个分量Pi(i=3)Pi=dPsi∕dT(单位c∕㎡k)在与电热释电晶体的自发极化强度Ps轴垂直的表面内出现的束缚电荷面密度等于Ps晶体内部电荷中和束缚电荷的平均时间て=ε∕r这里ε为晶体的介电常数r为晶体的电导率多数热释电晶体て值在1——1000s
1温度变化与自发极化强度有何关系答:晶体的整体温度的微小变化ΔT产生自发极化强度Ps的变化可表示为ΔˉPs=ˉPΔT式中ˉP为热释电系数矢量一般有三个分量Pi(i=3)Pi=dPsi∕dT(单位c∕㎡k)在与电热释电晶体的自发极化强度Ps轴垂直的表面内出现的束缚电荷面密度等于Ps晶体内部电荷中和束缚电荷的平均时间て=ε∕r这里ε为晶体的介电常数r为晶体的电导率多数热释电晶体て值在1——1000s之
光的基本性质梯度型:梯度型光纤的的折射率呈聚焦型即在轴线上折射率最大离开轴线则逐步降低至纤芯区的边沿时降低到与包层区一样 2. 光纤模式损耗原因:光纤纤芯材料的吸收散射光纤弯曲处的辐射损耗等的影响 光强度调制2. 反射式激光测距激光制导主动式夜视仪电视摄像文字判读4. 透射式 光相位调制 旋光物质d石英晶片为旋光物质的浓度 2)左旋物质 面对着光源观察使光振动面的旋
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级3.2.4 光电耦合器件 将发光器件与光电器件组合成一体以光作媒质把输入端得到信号耦合到输出端的器件 光电隔离器:电气隔离消除噪声光电传感器:检测物体位置有无分类发光器件: 发光二极管半导体激光器微形钨丝灯光电器件: 光电二极管光电三极管 光敏电阻光电池 1光电隔离器的类型二极管型三极管型达林
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Click to edit Master title styleClick to edit Master text stylesSecond levelThird levelFourth levelFifth level第四章 发光器件1. 白炽光源 用钨丝通电加热作为光辐射源最为普通一般白炽灯的辐射光谱是连续的 发光范围:可见光大量红外线和紫外线所以任何光敏元件都能和它配合接收到
习题一1光电检测系统是由哪几部分组成的各部分的作用是什么2光电检测技术的特点有哪些3简答以下概念:辐射通量辐射亮度辐照度光通量光亮度光照度4简答半导体材料的特性5绝缘体半导体导体的能带图有何区别6什么是N型半导体7随温度的提高为什么NP型半导体的费米能级会向中间移动8什么是载流子的复合9载流子的运动分哪两种10半导体对光的吸收有哪几种哪种吸收最强11简答以下概念:半导体的异质结肖特基势垒注入接触欧
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