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第二讲半导体器件概述(书第3、4
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单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级South China Normal University单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级South China Normal Universityp-n结1. p-n结的形成和杂质分布 合金法:通过加热使两种物质融合 突变结:在p-n结交界面杂质浓度发生突然变化 x<x
实验报告19系 04级 王承乐日期 05118 台号 1号台 评分实验题目:PN结正向压降温度特性的研究实验目的:1了解PN结正向压降随温度变化的基本关系式。2在恒流供电条件下,测绘PN结正向压降随温度变化曲线,并由此确定其灵敏度和被测PN结材料的禁带宽度。3学习用PN结测温的方法。实验原理:理想PN结的正向电流和压降存在如下近似关系(1)其中为电子电荷;为波尔兹曼常数;为绝对温度;为反向
模拟电子技术基础上页下页返回NN以N型半导体为基片通过半导体扩散工艺PN结1. PN结的形成使半导体的一边形成N型区另一边形成P型区N--P----------------------------------a. 在浓度差的作用下电子从 N区向P区扩散N--P----------------------------------b. 在浓度差的作用下空穴从 P区向N区扩散N--P-----
[2008-10-7 22:14 /Graph1 (2454746)]Linear Regression for Data1_B:Y = A + B * XParameterValueError------------------------------------------------------------A2088627006085B-050997562128E-4-----------
CJ=CT CD ISUDΔQPQP3 变容二极管 一般当信号角频率ω较低时rd<< l(ωCJ) CD和CT的容抗很大相当于开路二极管的小信号模型中只有rd id变容二极管 -50二极管型光电耦合器
实验报告勾天杭 PB05210273题目:PN结正向压降温度特性的研究目的及原理:见预习报告数据及处理:1、升温过程控温电流μA?V= VF(T)- VF(TS)mvT℃T=(2732+T)°K02-10314304604-20369310105-30422315405-40471320305-50520325205-60570330206-70624335606-80674340606-907
半导体,本征半导体,非本征半导体 半导体: 最外层价电子填满了价带,导带没有电子,有一定带隙宽度。在一定条件下使价带中的电子获得能量跃迁到导带中,在价带中形成空穴,在导带中出现电子时,半导体导电。 本征半导体:不掺杂的半导体。此时的费米能级在带隙的中间。价带中的电子靠热激发或光激发直接跃迁到导带,使空穴和电子的浓度相等。随着温度的升高本征半导体的导电性能变大。非本征半导体:是掺杂的半导体。由于
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