本科短学期论文(设计)题 目 霍尔效应及其误差分析学 生 指导教师 年 级 2009级专 业 应用物理学物理与电气工程系2010年7月摘 要 霍尔效应试验在测量过程中由于各种副效应会引起各种误差在此做以分析和修正采用Vh对称测量法以消除副效应考虑到载流子的速度统计分布所引起的误差对载流子浓度n进行修正经过修正后的实验更大程度地降低了实验误差使Rh的测量
利用霍尔效应测磁场实验的误差分析张晓春(02A11622)(东南大学机械工程学院江苏南京 211189)通过对利用霍尔效应测磁场实验的原理过程及实验数据的处理进行分析得出本实验误差的主要来源并对减小误差提出切实可行的方法及注意事项其中重点介绍利用对称测量法处理数据以减小误差的方法霍尔效应 误差分析 对称测量法Experimental Error Analysis of Hall Effect
自动的检测与转换技 霍尔传感器论文系部电器工程系专业机电一体化班级10233王永1023325云南机电技术学院2011年12月16日星期五前言 霍尔效应在当今科学技术的许多领域都有着广泛的应用如测量技术电子技术自动化技术等近年来由于新型半导体材料和低维物理学的发展使得人们对霍尔效应的研究取
霍尔效应科技名词定义中文名称:霍尔效应 英文名称:Hall effect 定义1:在物质中任何一点产生的感应电场强度与电流密度和磁感应强度之矢量积成正比的现象 所属学科: t _blank 电力(一级学科) t _blank 通论(二级学科) 定义2:通过电流的半导体在垂直电流方向的磁场作用下在与电流和磁场垂直的方向上形成电荷积累和出现电势差的现象 所属学科: t _b
通过霍尔效应测量磁场在磁场中的载流导体上出现很想电势差的现象是24岁的研究生霍尔(Edwin H Hall)在1879年发现的,现在称之为霍尔效应。随着半导体物理学的迅猛发展,霍尔系数和电导率的测量已经称为研究半导体材料的主要方法之一。通过实验测量半导体材料的霍尔系数和电导率可以判断材料的导电类型、载流子浓度、载流子迁移率等主要参数。若能测得霍尔系数和电导率随温度变化的关系,还可以求出半导体材
通过霍尔效应测量磁场实验目的:通过用霍尔元件测量磁场,判断霍尔元件载流子类型,计算载流子的浓度和迁移速度,以及了解霍尔效应测试中的各种副效应及消除方法。实验原理:????????通过霍尔效应测量磁场霍尔效应装置如图231-1和图231-2所示。将一个半导体薄片放在垂直于它的磁场中(B的方向沿z轴方向),当沿y方向的电极A、A’上施加电流I时,薄片内定向移动的载流子(设平均速率为u)受到洛伦兹力
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霍尔效应及其应用霍尔效应是导电材料中的电流与磁场相互作用而产生电动势的效应1879年美国霍普金斯大学研究生霍尔在研究金属导电机理时发现了这种电磁现象故称霍尔效应后来曾有人利用霍尔效应制成测量磁场的磁传感器但因金属的霍尔效应太弱而未能得到实际应用随着半导体材料和制造工艺的发展人们又利用半导体材料制成霍尔元件由于它的霍尔效应显著结构简单形小体轻无触点频带宽动态特性好寿命长因而被广泛应用于自动化技术检测
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级霍尔效应 霍尔效应: 实验目的实验原理操作方法霍尔效应霍尔效应:霍尔于1879年在研究金属的导电机构时发现的霍尔效应在磁场等物理量的测试自动化和信息技术等方面有着极其广泛的应用一实验目的1.了解产生霍尔效应的机理2.研究霍尔元件的特性了解应用霍尔效应测量磁场的方法 二测量原理1.霍尔效应 通有电流的导体或半导体薄片置于磁场中由
霍耳效应及其应用加灰色底纹部分是预习报告必写部分实验项目类型:基础验证性置于磁场中的载流体如果电流方向与磁场垂直则在垂直于电流和磁场的方向会产生一附加的横向电场这个现象是霍普金斯大学研究生霍耳于1879年发现的后被称为霍耳效应如今霍耳效应不但是测定半导体材料电学参数的主要手段而且利用该效应制成的霍耳器件已广泛用于非电量的电测量自动控制和信息处理等方面在工业生产要求自动检测和控制的今天作为敏感元件之
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