结构简单Imaging System PipelineCMOSMOS场效应管是一种具有表面场效应作用的单极性半导体器件MOS负载电阻漏极跟随器T2而当复位脉冲消失后T1截止光电二极管开始积分光信号T2为源极跟随器它将光电二极管的高阻抗输出信号进行电流放大DPS 结构的CMOS图像传感器a 初始化 初始化时要确定器件的工作模式如:输出偏压放大器的增益取景器是否开通并设定积分时间e 信
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Click 热电器件响应波长有选择性一般有截止波长超过该波长器件无响应本章重点: 光电检测器件的噪声1.热噪声:称约翰逊噪声即载流子无规则的热运动造成的噪声2.散粒噪声:穿越势垒的载流子的随机涨落所造成的噪声3.产生-复合噪声:载流子的产生率和复合率在某个时间间隔会在平均值上下起伏这种起伏引起的载流子浓度的起伏产生均方噪声电流 4. 1f噪声: 闪烁噪声或低频
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第4章电源技术41电源技术的基本内容42直流稳压电源43开关型稳压电源44 交流稳压电源电源可分为三种类型:(1)一次性电源,即供电电源。(2)二次性电源,即在供电电源与负载之间对电能进行转换以满足电气设备需要的电源。(3)蓄电池电源,将其它形式的能量转换成电能储存起来,然后再提供给负载。第4章电源技术41电源技术的基本内容(1)将交流电变为直流电(AC-DC),实现这一功能的电路称为整流电路。(
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第5章 激光干涉测试技术单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级光电测试技术 哈尔滨工业大学第5章 激光干涉测试技术§5-3 波面剪切干涉测试技术2022463§5-3 波面剪切干涉测试技术波面剪切干涉是利用待测波面自身的干涉剪切干涉仪属于等程(共程)干涉:对光源无特殊要求容易得到对比度
缺点:结构复杂工作电压高体积大其量纲为μAW或AW当锑和几种碱金属形成化合物时具有更高的响应率Si从Si的导带底部漂移到表面Cs2O的导带底部此时电子只需克服EA2就能逸出表面对于P型Si的光电子需克服的有效亲和势为EAe=EA2-Ed由于能级弯曲使Ed>EA2这样就形成了负电子亲和势一真空光电管工作原理缺点:真空光电管一般体积都比较大工作电压高达百伏到数百伏玻壳容易破碎等 光电阴极 定义光
44光电倍增管的供电电路 441电阻链分压型供电电路 光电倍增管具有极高的灵敏度和快速响应等特点,使它在光谱探测和极微弱快速光信息的探测等方面成为首选的光电探测器。 光电倍增管的供电电路种类很多,可以根据应用的情况设计出各具特色的供电电路。本节介绍最常用的电阻分压式供电电路。 如图4-8所示为典型光电倍增管的电阻分压式供电电路。电路由11个电阻构成电阻链分压器,分别向10级倍增极提供电压UDD。
Click 光电器件的分类内光电效应真空光电管光电三极管4光敏电阻符号入射光光敏电阻在弱光辐射下光电导灵敏度Sg与光敏电阻两电极间距离l的平方成反比 在强辐射作用下Sg与l的二分之三次方成反比因此在设计光敏电阻时尽可能地缩短光敏电阻两极间距离1-光电导材料2-电极3-衬底材料911缺点: 强光下光电线性度较差弛豫时间过长频率特性差光敏电阻特性参数I光mA16温度特性19 光敏电阻的时间常数
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