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单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级ZnO掺杂能带示意图第3章 半导体异质结pn结的两边是采用同一种材料称为同质结 由两种不同的半导体单晶材料组成的结则称为异质结 N和P表示宽带半导体n和p表示窄带半导体p型GaAs与P型AlGaAs 同型异质结 p型GaAs与N型AlGaAs异型异质结 3.1 异质结及其能带图一些Ⅲ-Ⅴ族化合物及几种Ⅱ-Ⅵ族化合物的禁带宽
半导体,本征半导体,非本征半导体 半导体: 最外层价电子填满了价带,导带没有电子,有一定带隙宽度。在一定条件下使价带中的电子获得能量跃迁到导带中,在价带中形成空穴,在导带中出现电子时,半导体导电。 本征半导体:不掺杂的半导体。此时的费米能级在带隙的中间。价带中的电子靠热激发或光激发直接跃迁到导带,使空穴和电子的浓度相等。随着温度的升高本征半导体的导电性能变大。非本征半导体:是掺杂的半导体。由于
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第六章 金属半导体接触和异质结习题1. 画出由p型半导体和金属构成的肖特基势垒在施加正想和反向电压的能带图分别标出扩散流漂移流肖特基热电子电流的方向和相对大小2. 设金属与半导体是理想的肖特基接触即肖特基模型适用在以下两种情形下:(a)金属和半导体直接接触(b)相距较远通过一很细的导线连接试分析并用图示意指出MS接触形成的接触电势差在热平衡时的分布情形3. 试分析说明金属-n型半导体肖特基势垒在正
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??? ?? ??? ????? ??? ???? ??????? ???? ???? ????? ??第四章 金属—半导体结 引言金属—半导体形成的冶金学接触叫做金属—半导体结(M-S结)或金属-半导体接 触把须状的金属触针压在半导体晶体上或者在高真空下向半导体表面上蒸镀大面积的金属薄膜都可以实现金属—半导体结前者称为点接触后者则相对地叫做面接触金属—半导体接触出现两
Ec(c)n型在 x 和 xL 处电子的波函数分别为φ(x) 和φ(xL)?????kz考虑自旋k空间的电子态密度为:2V(2?)31. 极值点 k0=0E(k)为球形等能面能量由 E 增加到 EdEk 空间体积增加:Ec一导带电子浓度no和价带空穴浓度poNv(cm-3) 在室温时:电中性条件二本征载流子浓度及影响因素∵ 受主全部电离本征载流子总原子=10101023=10-13>杂质原子总原子
三极管的电流分配与放大作用 输出特性曲线 图2-1 三极管的结构示意图与电路符号 图2-2 常见三极管的外形结构图 图2-4 三极管内部载流子的运动情况 通过三极管内部载流子的运动可知三极管各极电流的关系 IC=ICBO IB=IBN-ICBO IE=IBN=
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