一.填空题(每题5分共40分) 1.图1中100V电压源发出的功率 为100W 则电压U= V. 解:I=1A U= -20100-60 20 V 2.图2中一端口网络的输入电阻 Ri = Ω. 解:I=U2U2-2I U=3
自测题一一判断题1.因为P型半导体的多数载流子是空穴所以它带正电( F )2.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素可将其改型为P型半导体( T )3.处于放大状态的三极管集电极电流是多数载流子漂移所形成的( F )二单选题1.半导体中的少数载流子产生的原因是( D )A.外电场 B.内电场 C.掺杂 D.热激发2.用万用表测二极管的正反向电
2004年《模拟电子技术基础(1)》期末试题(A卷)一填空(每空1分共20分)1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结 集电结 2. 放大器级间耦合方式有三种: 耦合 耦合 耦合在集成电路中通常采用 耦合3. 差分放大器的基本特点是放大 抑制 4. 乙
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《模拟电子技术基础(1)》期末试题(A卷)参考答案及评分标准一填空(每空1分共20分)1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结 正偏 集电结 反偏 2. 放大器级间耦合方式有三种: 直接 耦合 阻容 耦合 变压器 耦合在集成电路中通常采用 直接 耦合3. 差分放大器的基本特点是放大 差模信号 抑制 共模信号 4. 乙类推挽放大器的主要失真是 交越失真 要消
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模拟电子电路 模拟试题1答案填空题(每空分共30分) 硅PNP集电极饱和增大601000恒(电)流源稳定静态工作点???0反向求和电路滞回比较电路抗干扰能力强∣AF∣=1ФAФF=±2n? (n=0123…)三端稳压-5V选择题(每空2分共14分)图RbRcC1C2RLUi-VCC Uo-1.D 2.C 3.A 4.A 5.C 计算题(本题20分)电容C1位置不对电路无
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