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CH7 双极集成电路的正向设计 Click to edit Master title styleClick to edit Master text stylesSecond levelThird levelFourth levelFifth level集成电路设计概论西安交通大学微电子学系刘润民第 7 章 集成电路设计概述 概 述 集成电路设计包括逻辑(功能)设计电路设计版图设计和
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级 双极集成电路的基本制造工艺问题:1 图中埋层外延位置及各自的作用 2 外延制造有什么要求埋层外延埋层:减少晶体管集电极的串联电阻减少寄生pnp管的影响外延:提高击穿电压BVcbo寄生pnpnpn备注:STTL :SCHOTTKY TRANSISTOR-TRANSISTOR LOGICDTL : DIODE TR
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第8章 模拟和双极型集成电路的版图设计 主要内容 8.1 模拟CMOS集成电路 8.2 铝栅CMOS集成电路 8.3 双极集成电路8.1 模拟CMOS集成电路8.1.1模拟集成电路和数字集成电路的比较8.1.2 MOS器件的对称性 对称是模拟集成电路版图设计的重要技巧之一包括器件对称布局布线对称等常用的
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放大电路静态工作点的稳定问题
图解分析法ENBJT常称为晶体管种类很多按照结构可分为NPN型和PNP型ENB集电结N发射结正偏发射区电子不断向基区扩散形成发射极电流IEECIBIEc共集电极因为电压放大倍数?iERLIE则E2. 能否将BJT的ec两个电极交换使用为什么VvCE ?1VvCE=0VvCE(V)100?A3此区域中vCE?vBE集电结正偏?iB>iCvCE?称为饱和区9输出特性三个区域的特点:VCCQ位于截止区
授课次数 四 授课时间 2006-3-5授课内容:基本放大电路的构成1共射极基本放大电路的构成原理2放大电路的静态工作点及直流通路二共射放大电路的分析方法1静态分析2动态分析三小结 单管共射极放大电路.1 基本共射放大原理电路的构成利用管或管的电流控制作用可以构成放大电路由单个三极管的构成的放大电路称为单管放大器或基本放大器基本放大器有三种电路结构共射极结构是其中的一种由管构成的基本共射
曹飞 个人版总结引言第一只晶体管?第一只晶体管 ATT Bell Lab 1947?第一片单晶锗 1952?第一片单晶硅 1954 (25mm1英寸)?第一只集成电路(IC) TI 1958?第一只IC商品 Fairchild 1961摩尔定律晶体管最小尺寸的极限?价格保持不变的情况下晶体管数每12月翻一番1980s后下降为每18月翻一番?最小特征尺寸每3年减小70?价格每2年下降50IC的
单击此处编辑母版标题样式abcd单击此处编辑母版文本样式abvd第二级第三级第四级第五级模拟电子技术基础第四章 BJT及其放大电路基础4.5 共集电极放大电路和 共基极放大电路一共集电极放大电路二共基极放大电路三放大电路三种组态的比较1.静态分析共集电极电路结构如图示该电路也称为射极输出器由得直流通路 一共集电极放大电路①小信号等效电路2.动态分析交流通路 ②电压
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