山东轻工业学院《模拟电子技术》考试试卷(1) (本试卷共6页)题号一二三四五六总分得分得 分阅卷人一填空题(本题满分20分)1. 在P型半导体中 是多数载流子 是少数载流子2.PN结的反向饱和电流对温度特别敏感温度升高时其大小将 (a)(b)图1—13. 电路如图1—1所示设二极管的导通电压UD则
#
NUMS 6- 1 中国人民公安大学2006-2007第一学期2005级安全防范工程专业《模拟电子技术》期末考试试卷(2)判断下列说法是否正确,用“对”或“错”表示判断结果(每题1分,共10分)因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( )在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。( )放大电路的输出功率是由有源元件提供的;( )由于放大的对象是变化量,所以当输入
#
#
#
《模拟电子技术》模拟试卷〔2〕卷试题一单项选择题(24分每空分)(请选择下列各题中的正确答案并将代表该正确答案的英文字母填入方框内)1.当环境温度升高时二极管的反向饱和电流Is将增大是因为此时PN结内部的 [ ]A 多数载流子浓度增大 B 少
模拟电路复习预习方法:掌握基本理论:二极管三极管的特点和用途反馈的定义分类判断功率放大的原理与分类滤波器的基本原理波形发生器的原理与能否起震的判断直流电源的基本原理及构成掌握的计算:三极管放大电路的静态动态分析集成远放的相关计算振荡电路频率计算直流电源的简单计算除开本次提供的例题外同学们要重点复习预习课本习题习题一半导体二极管及其应用1.本征半导体中的自由电子浓度______空穴浓度 a大于 b
填空题 (每小题2分共30分) 1 杂质半导体分为(N)型和(P)型自由电子是( N)型半导体的多子 空穴是(N )型半导体的少子 2.具有60dB增益的电压放器其电压放大倍数为__1000_倍 3.放大器采用有源负载就是用__恒流__源作负载 4.对于CE 电路的 β 值与 CB电路的 α 的关系式为( )
第 4 页( 共 NUMS 4 页) 哈尔滨工业大学远程教育学院2007年秋季学期电力电子技术 模拟试题2(开卷,时间:120分钟)(所有答案必须写在答题纸上)一、填空题(40分,每空1分)1 GTO的 结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。2 GTO的开通控制方式与晶闸管相似,但是可以通过在门极使其关断。3 GTO导通过程与普通晶闸管一样,只是导通时饱和程度 ,导通时管压降 。4 GT
违法有害信息,请在下方选择原因提交举报