相关文档

• IGBT模块选型参考.docx

  IGBT模块选型参考1．IGBT模块的功率损耗????IGBT关断截止时I(t)≈o损耗的功率可忽略为了便于分析将损耗分为导通损耗和开关损耗另外开关损耗也可分为两类：具有理想二极管时IGBT的开关损耗和考虑二极管反向恢复时间时IGBT的开关损耗??? IGBT导通时如果电流为方波脉冲那么导通能量就等于电流电压降和导通时间三者之积IGBT在任意电流和温度时的最高电压降根据数据表提供的数据可按以下两步

• IGBT模块型号参数大全.docx

  各品牌IGBT模块型号参数大全一.IGBT模块1.富士IGBT? N系列(高速低导通压降) P系列? S系列??????????????????????????????????????????????????????型号参数型号参数1MB1200S-1201单元200A1200V6MB150S-1206单元50A1200V1MB1300S-1201单元300A1200V2MB175S-1202单元

• IGBT的选型说明和参考.docx

  一什么是IGBT IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)绝缘栅极型功率管是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件应用于交流电机变频器开关电源照明电路牵引传动等领域 IGBT是强电流高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道而这个通道却具有

• 3相供电VVVF变频器IGBT模块选型.docx

  3相供电VVVF变频器IGBT模块选型3相感应电动机驱动电路的构成和输出时序图：交流电源电压和IGBT额定电压VCES：交流电源电压 ? ? ? ? ? ? ? ?200240V ? ? ? ?400480V ? ? ? ? 575 690VIGBT额定电压VCES ? ? ? ? ?600V ? ? ? ? ? ? ?1200V ? ? ? ? ? ? ? ? ? 1700V电动机输出和IGBT

• IGBT模块的等效热路模型.docx

  IGBT模块的等效热路模型引言半导体器件的热特性可以使用不同的等效热路模型来描述：?图 1: 连续网络热路模型 (Continued fraction circuit也称作Cauer模型 T模型或梯形网络)连续网络热路模型(Continued fraction circuit)反应了带有内部热阻的半导体器件的热容量真实的物理传导过程当已知器件的每层的材料特性时就能够建立这个模型然而要画出 每层材料

• IGBT-模块FF900R12IP4D参数_（万向大巴老式）.doc

   _04-en_=db3a304342c787030142d71beb8f4b80 _04-en_=db3a304342c787030142d71beb8f4b80 :

• IGBT模块的损耗特性.docx

  IGBT模块的损耗特性IGBT元件的损耗总和分为：通态损耗与开关损耗开关损耗分别为开通损耗(EON)和关断损耗(EOFF)之和另外内置续流二极管的损耗为导通损耗与关断（反向恢复）损耗(ERR)之和 EONEOFFERR与开关频率的乘积为平均损耗IGBT的损耗：续流二极管的反向恢复损耗：反向恢复损耗 ERR开关特性的测试：PDMB100B12开通损耗EON测量范例：PDMB100B12关断损耗EOF

• 常见IGBT模块及原理.docx

  IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)此主题相关图片如下：???? 绝缘栅双极型晶体管是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点GTR饱和压降低载流密度大但驱动电流较大MOSFET驱动功率很小开关速度 快但导通压降大载流密度小IGBT综合了以上两

• IGBT模块的测试方法.doc

  MOS管和IGBT模块的测试方法MOS管（MOSFET）的测试方法: 场效应管如果已知型号与管脚用万用电表测G（栅极）和S（源极）之间G与D（漏极）之间没有PN结电阻说明该管子已坏.用万用电表的R×1kΩ档其表棒分别接在场效应管的S极和D极上然后用手碰触管子和G极若表针不动说明管子不好若表针有较大幅度的摆动说明管子可用.另外:1结型场效应管和绝缘栅型场效应管的区别 （1）从包装上区分 由于绝缘栅型

• 项目一OSI参考模型（模块二）.ppt

  #