《集成电路设计基础》 山东大学 信息学院 刘志军9/14/20231《模拟集成电路设计基础》网络下载的地址:【PPT】集成电路设计基础文件格式:PPT/Microsoft Powerpoint -版集成电路设计理论基础 集成电路基本工艺 集成电路设计相关器件工艺 集成电路版图设计 集成器件模型 集成电路电路级模拟工具 模拟与数字集成电路基本电路 集成电路硬件描述语言 集成电路器件封
目录版图的工具:CadenceVirtuosoDraculaAssuraDivaMentorcalibreSpring soft laker认识版图 NMOS工艺层立体图 器件电阻版图建立LIBRARY 第二部分:版图设计基础第二部分:版图设计基础 第二部分:版图设计基础 第二部分:版图设计基础第三部分:版图的准备 第三部分:版图的准备 第三部分:
Title of this SliceFirst Subtitel2nd level3rd Level4th Level5th Level东?南?大?学 射?频?与?光?电?集?成?电?路?研?究?所?集成电路设计基础王志功东南大学 无线电系2004年11第10章 MOS基本电路10.1 传输门10.1.1 NMOS传输门10.1.2 PMOS传输门10.1.3 CMO
第五章 模拟IC版图basics of ic layout designspeedschool of phyeschool of phyecurrentes from the leftschool of phyebasics of ic layout design14
2 4模拟集成电路设计 2. 扩散退火用来激活杂质原子并修复对晶格的物理损害这步在500800 ℃进行与扩散相比离子注入是低温工艺通过表层注入有利于阈值调节可以实现特别的杂质分布例如在硅表面下形成浓度高峰§2-1:基本MOS半导体制造工艺 光通过掩膜对晶圆选择性曝光的过程称做光刻模拟集成电路设计模拟集成电路设计模拟集成电路设计模拟集成电路设计模拟集成电路设计模拟集成电路设计12.沉积厚氧化层
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1第二章IC制造材料结构与理论21了解集成电路材料 22半导体基础知识 23PN结与结型二极管24双极型晶体管基本结构与工作原理 25MOS晶体管基本结构与工作原理2表21集成电路制造所应用到的材料分类10-22~10-14 S·cm-1SiO2、SiON、Si3N4等绝 缘 体10-9~10-2 S·cm-1硅、锗、砷化镓、磷化铟等半 导 体105 S·cm-1铝、金、钨、铜等导体 电 导 率
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单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级HIT Microelectronics王永生CMOS模拟集成电路设计差动放大器4420221提纲1单端与差动的工作方式2基本差动对3共模响应4MOS为负载的差动对44202221单端与差动的工作方式差动信号定义为两个结点电位之差且这两个结点的电位相对于某一固定电位大小相等极性相反结点的阻抗也必须相等差动工作方式优点:抑制共模
课程背景课程背景57基本器件尺度固定模块通用信号带宽对应用领域1214大连理工大学 电信学院
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