描述离子束溅射的主要参量分别是溅射阈能溅射产额和淀积速率 溅射产额与靶原子序数的关系淀积速率Zc:通常用淀积速率来表示溅射材料在基片上成膜的快慢而把溅射材料在单位时间内淀积在基片上的厚度定义为淀积速率
聚焦离子束(FIB)溅射题目:A Review of Focused Ion Beam Sputtering:Mohammad Yeakub Ali Wayne Hung and Fu Yongqi期刊:International journal of precision engineering and manufacturing vol. 11 no. 1 pp. 157-170期刊日
离子束溅射仪器的使用装样品充气:打开充气旋钮使得空气进入钟罩开电源总开关接通电源升钟罩:将升开关拨到下方待钟罩升到合适位置时按住停按钮钟罩停止上升将升开关拨回到上方放样品:将放有样品的载物台固定到钟罩中降钟罩:按一下降按钮钟罩开始往下降降到适当的位置使得钟罩密封时自动停止(注意在钟罩将要降到底时可以在前边稍往上抬钟罩以保证钟罩的密封效果利于后面的真空抽取)将充气旋钮旋紧抽真空抽低真空:样品装好后再
图中A表示在低压下当阴极和阳极间加上高压时引起场致发射2)图中B表示在电磁场作用下电子作螺旋运动3)图中C表示电子与气体分子碰撞产生正离子和二次电子引起雪崩效应4)图中D表示正离子轰击钛阴极溅散出钛原子落在阳极筒上形成新鲜钛膜也有的落在阴板外围区(β区)5)图中E表示活性气体与新鲜钛膜反应形成化合物化学吸附在阳极筒内壁隋性气体被电离离子在电场作用下轰击阴极过程中被排出其排除方式为:(1)离子
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单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式第一节 电子束加工一电子束加工的基本原理 在真空条件下利用电子枪中产生的电子经加速聚焦后能量密度为106109wcm3的极细束流高速冲击到工件表面上极小的部位并在几分之一微秒时间内其能量大部分转换成热能使工件被冲击部位的材料达到几千摄氏度致使材料局部熔化或蒸发来去除材料控制电子束能量密度的大小和能量注入时间就可以
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特种加工技术 单击此处编辑母版标题样式电子束加工:Electron Bean Machining简称EMB离子束加工:Ion Bean Machining简称IBM第六章 电子束和离子束加工主要用在精密微细加工方面尤其在微电子学领域6.1?? 电子束加工一电子束加工的原理和特点二电子束加工装置三电子束加工的应用熔化气化一电子束加工原理电流加热阴极发射电子加 速聚 焦能量密度↑冲击工件表面工
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版标题样式第六章 电子束和离子束加工2主要内容6.1 电子束加工6.2 离子束加工第六章 电子束和离子束加工3第六章 电子束和离子束加工1概述 电子束加工(Electron Beam Machining 简称EBM)起源于德国1948年德国科学家斯特格瓦发明了第一台电子束加工设备利用高能量密度的电子束对材料进行工艺处理的一切方法统称为电子束加工6.1 电
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