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单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级雪崩光电二极管APD倍增特性的测试 一实验目的加深对雪崩光电二极管工作原理的理解 学会雪崩光电二极管的反向电压的测试方法学会雪崩光电二极管的暗电流的测试方法学会雪崩光电二极管的倍增特性的测试方法 掌握雪崩光电二极管的使用方法 三实验步骤反向电压测试1关闭单色仪入射狭缝S1和出射狭缝S2 2把装有APD的模块插入单色仪的出射狭缝
半导体雪崩光电二极管 半导体雪崩光电二极管 semiconductor avalanche photodiode 具有内部光电流增益的半导体光电子器件又称固态光电倍增管它应用光生载流子在二极管耗尽层内的碰撞电离效应而获得光电流的雪崩倍增这种器件具有小型灵敏快速等优点适用于以微弱光信号的探测和接收在光纤通信激光测距和其他光电转换数据处理等系统中应用较广 当一个半导体二极管加上足够高的反
万方数据
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QC/T 706-2004 (2004-02-10发布,2004-08-01实施) ?前 言 本标准主要参照摩托罗拉XRA031I/0312、TR00309/00310技术及波许功率雪崩二极管技术及QC/T 422-2000《机动车用硅整流二极管》等进行编制。 本标准的附录A为规范性附录。 本标准由中国汽车工业协会提出。 本标准由全国汽车标准化技术委员会归
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