习题二1.在相控整流电路中若负载是纯电阻试问电阻上的电压平均值与电流平均值的乘积是否就等于负载消耗的功率为什么 2.某电阻负载要求获得Ud = 024V的可调直流平均电压负载电流Id=30A由交流电网220V直接供电或由整流变压器降压后的60V变压器二次侧电压供电采用单相半波可控整流电路说明是否都能满足要求 并比较两种供电方案的晶闸管导通角晶闸管的电压电流额定值电源与整流变压器二次侧的功率因
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电力电子技术试卷答案 填空 请在正确的空格内标出下面元件的简称:电力晶体管 GTR 可关断晶闸管GTO 功率场效应晶体管 MOSFET 绝缘栅双极型晶体管 IGBT IGBT是 MOSFET 和 GTR 的复合管 晶闸管对触发脉冲的要求是 要有足够的驱动功率 触发脉冲前沿要陡幅值要高 和 触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步 3多个晶闸管相并联时必须考虑 均流 的问题解
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电力电子技术考试要点电力电子技术定义P1电力交换分类P1习题及思考题P42单相可控整流电路P43三相可控整流电路P53简答题:变压器漏感对整流电路的影响P63整流电路的谐波和功率因数(危害)P69什么是逆变P82逆变产生的条件P83逆变失败的定义及其原因P85习题及思考题P95(351113)换流方式分类P98电压型逆变电路P100习题及思考题P118降压斩波电路P119升压斩波电路P123带隔离
一填空题:(每小题2分)1.晶闸管英文为 简称SCR中文旧称 全称为晶体闸流管2.晶闸管有三个 结其内部可等效看成两个 3.由四层 交替叠成的晶闸管其AGK三个引出极为 4.普通晶闸管的开通时间在 左右关断时间约在 5.开关二极管可分为正向导通反向阻
电力电子复习题一一填空1请在正确的空格内标出下面元件的简称:电力晶体管?GTR??可关断晶闸管GTO?功率场效应晶体管?MOSFET?绝缘栅双极型晶体管?IGBT? IGBT是??MOSFET 和??GTR??的复合管2晶闸管对触发脉冲的要求是???要有足够的驱动功率? ????触发脉冲前沿要陡幅值要高????和??触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步3多个晶闸管相并联时必须考虑 均流?的问题解决的方法
第12单元 电力电子器件GTR是由三层半导体两个PN结构成的三端器件所以分为( PNP )型和( NPN )型两种形式绝缘栅极型晶体管(IGBT)是以( 场效应晶体管 )作为基极以( 电力晶体管 )作为发射极与集电极复合而成场效应管控制晶闸管简称MCT是由( MOSFET管 )和( GTO管 )复合而成的一种电力电子器件GTO门极驱动电路有分立元件和集成多种归纳起来可分为 ( 直接耦合
填空题:1.电力电子器件一般工作在 开关 状态2.在通常情况下电力电子器件功率损耗主要为 通态损耗 而当器件开关频率较高时功率损耗主要为 开关损耗 3.电力电子器件组成的系统一般由 控制电路 驱动电路 主电路 三部分组成由于电路中存在电压和电流的过冲往往需添加 检测与保护电路 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况电力电子器件可分为 单极性 双极性 复合型 三类5.电力二极管的工作特
1-1答:1.电力二极管大都采用垂直导电结构使得硅片中通过电流的有效面积增大显著提高了二极管的通流能力2.电力二极管在P区和N区之间多了一层低掺杂N区也称漂移区低掺杂N区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体由于掺杂浓度低低掺杂N区就可以承受很高的电压而不被击穿1-6 答:GTO和普通晶闸管同为 PNPN 结构由 P1N1P2 和 N1P2N2 构成两个晶体管V1V2 分别具有共基
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