#
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级西电微电子学院-董刚-模拟集成电路设计 模拟集成电路设计第2章 MOS器件物理基础董刚gdongmail.xidian.edu微电子学院西电微电子学院-董刚-模拟集成电路设计 授课内容绪论重要性一般概念单级放大器无源有源电流镜差动放大器放大器的频率特性噪声运算放大器反馈稳定性和频率补偿共源共漏共栅共源共栅定性分析定量分析
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第一章 集成电路元器件基础第一节 半导体基础知识一固体按导电性能可分为三类:导体:绝缘体:半导体:如:金银铜铝等如:云母陶瓷等如:硅Si锗Ge砷化镍GaAs等一半导体的特性:杂质温度光照对ρ影响较大定义:没有杂质纯净的单晶体称为本征半导体(一)本征半导体的共价键结构1SiGe原子结构模型14Si32Ge4价电子惯性核三本征
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级 第二章 半导体器件基础 计 算 机 电 路 基 础怀化学院物理与信息工程系主讲:向 腊第2章 半导体器件基础学习要点:PN结的形成和单向导电性 二极管的伏安特性半导体三极管的基本结构工作原理三极管的伏安特性MOS场效应管的结构工作原理和伏安特性曲线结型场效应管的结构工作原理和伏安特性曲线第2章
Click to edit Master text stylesSecond levelThird levelFourth levelFifth level第二章 半导体器件基础计算机电路基础第二章半导体器件基础学习要点PN结的形成和单向导电性 二极管的伏安特性半导体三极管的基本结构工作原理三极管的伏安特性MOS场效应管的结构工作原理和伏安特性曲线结型场效应管的结构工作原理和伏安特性曲线2.3
半导体基础知识硅锗等半导体材料之所以得到广泛的应用主要是因为它们的导电能力具有一些特殊的方面 现代电子学中用的最多的半导体是硅和锗它们的最外层电子(价电子)都是四个共有价电子所形成的束缚作用.3 N 型半导体P 型半导体中空穴是多子电子是少子 杂质型半导体多子和少子的移动都能形成电流但由于数量的关系起导电作用的主要是多子近似认为多子与杂质浓度相等二极管的主要参数
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级Chapter 2 MOS器件物理基础41720221本章内容MOSFET 的I-V 特性MOSFET 的二级效应MOSFET 的结构电容MOSFET 的小信号模型41720222绝缘栅型场效应管MOSFET绝缘栅型增强型(常闭型)耗尽型(常开型)N沟道P沟道N沟道P沟道Insulated Gate Field Effect
第1章 半导体器件基础 实训一 常用电子仪器的使用一实训目的1学习电子电路实验中常用的电子仪器-示波器函数信号发生器直流稳压电源交流毫伏表等的主要技术指标性能及正确使用方法2初步掌握用双踪示波器观察正弦信号波形和读取波形参数的方法二实训原理 在模拟电子电路实验中经常使用的电子仪器有示波器函数信号发生器直流稳压电源交流毫伏表万用电表等可以完成对模拟电子电路的静态和动态工作情况的测试 1.
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级 第一章 半导体器件基础1.1 半导体的基本知识1.2 半导体二极管1.3 半导体三极管1.4 BJT模型1.5 场效应管11.1 半导体的基本知识 一 本征半导体1半导体 导电能力介于导体和绝缘体之间的物体是半导体 典型的半导体是硅Si和锗Ge它们都是4价元素硅原子锗原子硅和锗最外层轨道上的四个电子称为价电子2 本
德福雷斯特真空三极管半导体材料(19世纪末)B3.连续时间信号和离散时间信号由若干相互关联的单元电子电路组成的用来实现信号产生或信号处理的电路整体2) 炉温自动控制系统功放其它功率放大倍数定义为: Ap=POPIRi输出端0 =下限截止频率通常把非线性失真系数达到某一规定值时的输出幅值称为最大输出幅值用Vomax或Iomax表示.半导体 —硅(锗)的原子结构两种载流
违法有害信息,请在下方选择原因提交举报