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§1-4 二极管基本电路及其分析方法 二极管的等效模型二极管的直流模型理想开关模型恒压降模型3)折线模型2二极管的交流小信号模型当在二极管的工作点上叠加有低频交流小信号电压ud时只要工作点选择合适且ud足够小可以将Q点附近的特性曲线看成是线性的(线性化)则交流电压与电流之间的关系可以用一个电阻rd来表示rd——即为工作点处的交流电阻rd=UTID注意:小信号模型只能表示交流电压与电流之间的关系不能
本征半导体及其导电性这种结构的立体和平面示意图见图2-1 这一现象称为本征激发也称热激发 自由电子的定向运动形成了电子电流空穴的定向运动也可形成空穴电流它们的方向相反只不过空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依次充填空穴来实现的见图2-3的动画演示(1) N型半导体(2) P型半导体 图2- 5 P型半导体的结构示意图-- PN结的电容效应 空间电荷区形成内电场 --
PN结的形成及特性 半导体材料本征半导体——化学成分纯净的半导体它在物理结构上呈单晶体形态 P型半导体——掺入三价杂质元素(如硼)的半导体 2. P型半导体 T=300 K室温下本征硅的电子和空穴浓度: n = p =×1010cm3 本征半导体杂质半导体 .2 PN结的形成空间电荷区
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单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级1 绪论2 运算放大器3 二极管及其基本电路4 双极结型三极管及放大电路基础5 场效应管放大电路6 模拟集成电路7 反馈放大电路8 功率放大电路9 信号处理与信号产生电路10 直流稳压电源第3章 二极管及其基本电路§ 3.1 半导体的基本
二极管基本电路vs =Vmsin?t 时(Vm<<VDD) 将Q点附近小范围内的V-I 特性线性化得到小信号模型即以Q点为切点的一条直线4.小信号模型采用理想模型 3.二极管开关电路UB0V0V电流流向:正半周:A—D1—RL—D3—B恒压降模型:U例:图示二极管限幅电路R1kUREF=2V输入信号为ui
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级1.3 二极管电路的分析方法1.3.1 理想二极管及二极管特性的折线近似第 1 章 半导体二极管1.3.2 图解法和微变等效电路法1.3.1 理想二极管及二极管特性的折线近似一理想二极管特性uDiD符号及等效模型SS理想二极管:正偏导通uD = 0反偏截止 iD = 0 U(BR) = ?第 1 章 半导体二极管实际电路
--Oirz越小稳压性能越好(1)稳定电压 VZ RN集电结3在一定的电流范围内?与?为常数则IC与IEIC与IB之间成线性控制关系直流分析vs(4)负载开路时电压增益b例 如图所示电路中voI2RcReRLVCCvo3任意输入信号令vi1 = vi2 = 0ib2 ic2ic1输入电阻RC双端输出输出级:多采用功率放大电路以输出一定的功率放大倍数与负载无关分析多个运放级联组合的线性电路时可
PN结的形成及特性一核外电子的运动特点离核距离 近 远5弧线上数字表示该电子层上的电子数2密切相关HeNeAr等FClS等22120232212023由于随机热振动致使共价键被打破而产生空穴-电子对空穴的移动4 在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质可使半导体的导电性发生显著变化掺入的杂质主要是三价或五价元素掺入
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