( 2 )晶体管h参数微变等效电路ii ci cBh ie =h fe=r ce ≈ibebAv =VS = 0T1(i B一定)RB2C2BT)? 放大电路中有电抗性元件(如耦合电容射极旁路电容负载电容等)电抗性参数(如晶体管的结电容引线或元件间的分布电容分布电感等)它们的阻抗是信号频率?的函数这使放大电路的放大倍数?-90°和Φ后用右tpVom–Vp4. 晶体管的混合π型高频等效
单击此处编辑母版标题样式abcd单击此处编辑母版文本样式abvd第二级第三级第四级第五级3.1 半导体三极管(BJT)3.2 共射极放大电路3.3 图解分析法3.4 小信号模型分析法3.5 放大电路的工作点稳定问题3.6 共集电极电路和共基极电路3.7 放大电路的频率响应3.8 多级放大电路3 半导体三极管及放大电路学习目标: 1掌握BJT的电流分配关系放大条件及放大工作原理 2掌
单击此处编辑母版标题样式abcd单击此处编辑母版文本样式abvd第二级第三级第四级第五级3.1 半导体三极管(BJT)3.2 共射极放大电路3.3 图解分析法3.4 小信号模型分析法3.5 放大电路的工作点稳定问题3.6 共集电极电路和共基极电路3.7 放大电路的频率响应3 半导体三极管及放大电路基础3.8 多级放大电路3.5 放大电路的工作点稳定问题? 温度变化对ICBO的
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级3 半导体三极管及放大电路3.2 共射极放大电路3.3 图解分析法 3.4 小信号模型分析法3.5 放大电路的工作点稳定问题 3.6 共基极电路和共射极电路3.7 放大电路的频率响应3.1 半导体BJT3.1 半导体三极管(BJT)几种 BJT 的外形BNP基极发射极集电极N
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第三章 半导体三极管及放大电路基础NN两种类型的BJTNPN型PNP1三种组态 双极型三极管有三个电极其中两个可以作为输入 两个可以作为输出这样必然有一个电极是公共电极三种接法也称三种组态 共发射极接法发射极作为公共电极用CE表示 共集电极接法集电极作为公共电极用CC表示 共基极接法基极作为公共电极用CB表示 ICRBCIC=ICEICBO?ICEN动态演示UCE
共射极放大电路的工作原理 结构特点:因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区2. 电流分配关系ICEO= (1 ? ) ICBO共射极接法交流电流放大倍数?vO = -?iC? RL = VRL?vO = -?iC? RL = - V电压放大倍数1. 输入特性曲线放大区:iC平行于vCE轴的区域曲线基本平行等距此时发射结正偏集电结反偏截止<βiB(2) 共发射极交流电流放大系数?
共射极放大电路 BJT的电流分配与放大原理集电极用C或c表示(Collector)? 集电结面积远远大于发射结面积 IC= InC ICBO2. 电流分配关系ICEO= (1 ? ) ICBOBJT的三种组态若IE?iEVCC?iB = 20 uAb-饱和区:iC明显受vCE控制的区域该区域内一般vCE<(硅管)此时发射结正偏集电结正偏或反偏电压很小2. 极间反向电流(2)
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三半导体三极管及放大电路基本要求熟练掌握:放大电路的组成原则共射共集和共基组态放大电路工作原理静态工作点用小信号模型分析法分析增益输入电阻和输出电阻多级放大电路的工作原理增益的计算 正确理解:图解分析法放大电路的频率响应 一般了解:频率失真 难点重点1.半导体三极管内部载流子的传输过程(1)发射区向基区注入电子 由于发射结外加正向电压发射结的内电场被削弱有利于该结两边半导体中多子的扩散流过发射极
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