相关文档

• MOSFET（2）.ppt

  1. FET 场效应晶体管LG（2）(2)(xw)A图1.沟道内元电阻dR示意图重写图1所示x和xdx之间的元电阻dRρ(xw)是点电荷密度（在这里不是电阻率） 是电导率σ 而 是沟道的元电导积分就是把所有的元电导按可加的方向加起来即是总电导耗尽层宽度w2是相对于电压VbiVG-VD其中VD =

• MOSFET新材料.ppt

  （b）金属栅的制备技术及其工艺研究　　难熔金属栅能够很好的解决多晶硅栅电极存在的问题因而被认为是最有希望的取代多晶硅栅电极的下一代栅电极材料为了满足半导体工艺的要求金属栅材料应满足以下几点要求：（1)良好的导电性（2）高热稳定性在高温下要与介质材料保持良好的热力学稳定性不与下层的二氧化硅或高k栅介质发生发应具有很高的熔点能够经受源漏杂质激活退火等热过程（3）与栅介质层之间要有好的黏附性与其周围材料

• MOSFET-Introduction.ppt

  ConfidentialMOSFET Introduction4. SA MOSFET Measurement一個NMOS的立體截面圖 飽合區(saturation region)當VGS>Vth且VDS>VGS-Vth這顆MOSFET為導通的狀況也形成了通道讓電流通過但是隨著汲極電壓增加超過閘極電壓時會使得接近汲極區的反轉電荷為零此處的通道消失這種狀況稱之為「夾止」(pinch-off)在這種狀

• 华科模电--CH05-2-MOSFET放大电路.ppt

  估算法图解法3. 小信号模型分析（3）电流源偏置的NMOS共源极放大电路再假设工作在可变电阻区vi假设成立结果即为所求（2） Rg1=45k?Rg2=5k? 故工作于可变电阻区VDSQ=静态时vI0VG 0ID I由于负载开路交流负载线与直流负载线相同 ωt共漏极放大电路g3. 小信号模型分析（2）放大电路分析（例）R2VDD1M输入电阻 ri ro?C210k10kR3dR1R3dR2end

• 电源中功率器件--MOSFET（第-2周）.ppt

  #

• MOSFET版图设计.ppt

  华侨大学信息科学与工程学院 电子工程系厦门专用集成电路系统 重点实验室Copyright by Huang Weiwei华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室华侨大学信息学院电子工程系厦门专用集成电路系统重点实验室IC工艺和版图设计第四章 MOSFET版图设计主讲：黄炜炜Email：hwwhqu.edu参考文献1 . Alan Hastings

• MOSFET的参数讲解.ppt

  按一下以編輯母片標題樣式按一下以編輯母片第二層第三層第四層第五層CET 華 瑞 股 份 有 限 公 司CHINO-EXCEL TECHNOLOGY CORP..cetsemiCETCET CONFIDENTIAL POWER MOSFET 參數特性簡介 FOR DATA SHEET簡介

• 12-MOSFET概念深入.ppt

  施加小的漏电压时n沟道MOSFET沟道表面势示意图 非理想效应 迁移率变化:纵向电场的影响(1)高场：迁移率随E增加而下降 提高集成度：同样功能所需芯片面积更小提升功能：同样面积可实现更多功能降低成本：单管成本降低改善性能：速度加快单位功耗降低长沟道表面空间电荷区宽度VBS>0p型半导体表面注入受主杂质Na（如B）→半导体表面净掺杂浓度↑→表面更难以反型→VT↑ 3高斯函

• 5.2--MOSFET放大电路.ppt

  带PMOS负载的NMOS放大电路 MOSFET放大电路静态时vI0VG 0ID I MOSFET放大电路s共漏

• mosfet原理.doc

  第一章 mosfet基础知识自1976年开发出功率MOSFET以来由于半导体工艺技术的发展它的性能不断提高：如高压功率MOSFET其工作 HYPERLINK :.go-gddq2006-12409055.htm o 电压 电压可达1000V低导通 HYPERLINK :.go-gddq2006-12409057.htm o