(5-4)(5-7)(5-12)巴丁用高密度表面态模型解释了这种与金属功函数几乎无关的肖特基势垒故称为巴丁模型 巴丁模型:共价键半导体表面存在大量的表面态这些表面态来源于表面晶格周期排列中断造成的悬挂键(这称为本征表面态)和吸附的外来原子(称为非本征表面态)从这种半导体表面流到金属的电子主要来自表面态因此接触势垒与金属种类无关由于离子健较强的半导体的表面不存在悬挂键引起的本征表面态故它的势垒高度服
??? ?? ??? ????? ??? ???? ??????? ???? ???? ????? ??第四章 金属—半导体结 引言金属—半导体形成的冶金学接触叫做金属—半导体结(M-S结)或金属-半导体接 触把须状的金属触针压在半导体晶体上或者在高真空下向半导体表面上蒸镀大面积的金属薄膜都可以实现金属—半导体结前者称为点接触后者则相对地叫做面接触金属—半导体接触出现两
金屬半導體接面相接時費米能階要相等而且真空能階要連續以金屬與n型半導體為例:電子由半導體流向金屬半導體區留下正的施體離子形成空乏區()順向為正逆向為負以1c2對偏壓作圖為一斜直線由斜率可求得摻雜濃度:假設界面態階界面態階密度為定值為Dit(statescm2-eV):考慮兩個特殊狀況:情況一:Dit??可得情況二: Dit??0可得故n型矽為110p型矽為32 n型砷化鎵為8p型砷化鎵為74熱離子
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级半导体制造工艺——表面金属化杨谦金属化6.3.1.金属淀积的方法6.3.2.蒸发 6.3.2.1 原理 6.3.2.2 优缺点 6.3.2.
补充:绝缘栅场效晶体管SiO2绝缘层 EGG– 在一定的漏–源电压UDS下使管子由不导通变为导通的临界栅源电压称为开启电压UGS(th) 漏极特性曲线2. 耗尽型绝缘栅场效晶体管2. 耗尽型绝缘栅场效晶体管0408耗尽型G在制造时就具有原始导电沟道电子和空穴两种载流子同时参与导电较高 G—S—D
??半导体一边的势垒高度Wm<Ws?-Wm(a) p型阻挡层(Wm<Ws) (b) p型反阻挡层(Wm>Ws)阻挡层表面态分施主表面态和受主表面态在半导体表面禁带中形成一定的分布存在一个距价带顶为 q?0 的能级q?0q?0Wm?电子从半导体流向金属?这些电子由受主表面态提供?平衡时费米能级达同一水平表面受主态密度很高的n型半导体与金属接触能带图§8.2 金属半导体接触(阻挡层) 整流理论(
金属与金属矿物11/3/20231商代的青铜器11/3/20232战国初期曾侯乙铜钟11/3/20233特殊铝合金制造航空器11/3/20234铝、镁、铜合金飞机11/3/2023511/3/20236第五章第一节金属与金属矿物11/3/20237你已经知道什么?钙锌 铅 钾钠镁C a Zn PbKN aMg C a Zn Pb K N aMg铁铜 铝 汞银金 FeCuA lHgAg Au FeC
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第8章 金属波导8-1 沿均匀波导系统传播的波的一般分析 所谓均匀波导系统( 均匀波导)是指无限长的直波导其横截面的形状和尺寸以及所用的导体和介质的特性沿轴向(纵向)都是不变的在前述假设条件下任意横截面波导的电磁场满足亥姆霍兹方程1.横向场和纵向场的亥姆霍兹方程式中是波数该方程又称波动方程波动方程可分解为六个独立的标量方程Z
第五章 金属与矿物单元试题学生____________班级___________家长签名____________2011-12-22Fe—56 O—16 C—12 Al—27 Zn—65 Mg—24 H—1 S—32 Cu—64 一.选择题 1地壳中含量最多的金属元素是( )A.氧 B.硅 C.铁 D.铝 2下列有关金属的说法正确的是( )A.生铁不锈钢都是纯铁 B.铜在潮湿的空气中也
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