NAND FLASH 内存详解与读写寻址方式一内存详解 NAND闪存阵列分为一系列128kB的区块(block)这些区块是 NAND器件中最小的可擦除实体擦除一个区块就是把所有的位(bit)设置为1(而所有字节(byte)设置为FFh)有必要通过编程将已擦除 的位从1变为0最小的编程实体是字节(byte)一些NOR闪存能同时执行读写操作(见下图1)虽然NAND不能同时执行读写操作它可以 采用
第一章 绪论7-15 1.1 课题来源7-8 1.2 研究背景与意义8-14 1.2.1 Flash介绍8 1.2.2 NAND Flash介绍8-10 1.2.3 NAND Flash与NOR Flash比较10-13 1.2.4 研究目的13-14 1.3 论文章节安排14-15第二章 NAND Flash结构与原
Nand Flash结构与读写分析及Nand Flash寻址方式2008年01月31日 星期四 11:46Nand Flash结构与读写分析NAND Flash 的数据是以bit 的方式保存在memory cell一般来说一个cell 中只能存储一个bit这些cell 以8 个或者16 个为单位连成bit line形成所谓的byte(x8)word(x16)这就是NAND Device 的位
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C28x系列DSP寻址方式详解 TMS320C2000系列包括C24x和C28x系列C24x系列建议使用LF24xx系列替代C24x系列LF24xx系列的价格比C24x便宜性能高于C24x而且LF24xxA具有加密功能 C28x系列主要用于大存储设备管理高性能的控制场合 TMS320C3x系列包括C3x和VC33主要推荐使用VC33C3x系列是TI浮点DSP的基础不可能停产但价格不会进一步下调
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