局部氧化隔离工艺流程图
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级微电子中心HMEC集成电路设计原理 集成电路设计原理1微电子器件原理半导体物理与器件微电子工艺基础集成电路微波器件MEMS传感器光电器件课程地位和知识应用领域固体物理半导体物理2 集成电路就是把许多分立组件制作在同一个半导体芯片上所形成的电路早在1952年英国的杜默 (Geoffrey W. A. Dummer
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级集成电路制造工艺集成电路的发展历史集成电路 Integrated Circuit缩写IC通过一系列特定的加工工艺将晶体管二极管等有源器件和电阻电容等无源器件按照一定的电路互连集成在一块半导体单晶片(如硅或砷化镓)上封装在一个外壳内执行特定电路或系统功能集成电路芯片显微照片各种封装好的集成电路1.1900年普朗克发表了著名的《
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级半导体制造工艺流程半导体相关知识本征材料:纯硅 9-10个9 250000Ω.cmN型硅: 掺入V族元素--磷P砷As锑SbP型硅: 掺入 III族元素—镓Ga硼BPN结:NP------半 导体元件制造过程可分为前段(Front End)制程 晶圆处理制程(Wafer Fa
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第四章 版图设计内容提要 1:版图设计的基本流程 基本概念 2:IC中元件的版图设计 3:六管单元TTL与非门版图设计举例版图设计的基本流程 基本概念集成电路的设计包括三方面的工作: 线路设计工艺设计版图设计 首先根据电路指标结合集成电路的特点设计出可行的电子线路再将电子线路图
第一章 集成电路制造工艺流程4代工单位根据设计单位提供的GDS-Ⅱ格式的版图数据首先制作掩模(Mask)将版图数据定义的图形固化到铬板等材料的一套掩模上一张掩模一方面对应于版图设计中的一层的图形另一方面对应于芯片制作中的一道或多道工艺在一张张掩模的参与下工艺工程师完成芯片的流水式加工将版图数据定义的图形最终有序的固化到芯片上这一过程通常简称为流片9多项目晶圆MPW(multi-project w
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第八章 光刻与刻蚀工艺主 讲:毛 维midian126 西安电子科技大学微电子学院绪论光刻:通过光化学反应将光刻版(mask)上的图形 转移到光刻胶上刻蚀:通过腐蚀将光刻胶上图形完整地转移到Si片上光刻三要素: ①光刻机 ②光刻版(
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版
6.2 半导体集成电路的可靠性设计军用半导体集成电路的可靠性设计是在产品研制的全过程中以预防为主加强系统管理的思想为指导从线路设计版图设计工艺设计封装结构设计评价试验设计 原材料选用软件设计等方面采取各种有效措施力争消除或控制半导体集成电路在规定的条件下和规定时间内可能出现的各种失效模式从而在性能费用时间(研制生产周期)因素综合平衡的基础上实现半导体集成电路产品规定的可靠性指标根据内建可靠性
违法有害信息,请在下方选择原因提交举报