微电子学下一页上一页Micro-electronics系统芯片(SOC)技术世界集成电路设计技术发展现状世界集成电路加工工艺水平为0.13微米正在向0.09微米12英寸加工工艺过渡系统芯片(System-on-Chip)正在成为集成电路产品的主流超大规模集成电路IP复用(IP Reuse)和硬软件协同设计水平日益提高集成电路设计业制造业封装业三业并举相对游离设计工具落后于设计水平SOC-摆脱IC设
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IC (Integrated Circuit)概述 双极型集成电路基础 MOS集成电路基础功耗延迟时间可靠性1947 晶体管发明 1952 IC设想1958 IC诞生1962 DTLTTLMOS1968 MOS存储器 1971 微处理器1978 64kRAM 10万Tr VLSI 1985 1M DRAM 225万Tr VLSI 目前 微米CMOS技术1
Click to edit Master title styleClick to edit Master text stylesSecond levelThird levelFourth levelFifth level电子商务概论(第二版)第 7 章电子商务系统建设学习目标熟悉建立电子商务系统的过程明确Web服务器和应用服务器的功能特点掌握电子商务软件包的选择方法掌握电子商务系统优化的主要方法数
系统定义微分电路非智能型——功能简单或功能固定的电子系统智能型——参照人类活动规律例:机器人具体描述自顶向下与自底向上相结合电子系统设计的一般步骤技术的发展 EDA技术是从二十世纪集成电路问世起(60年代)经历了CAD(70年代)CAE(辅助工程80年代)发展阶段到90年代进入EDA阶段 EDA技术汇集了计算机应用科学微电子结构与工艺学和电子系统科学最新成果的先进CAD技术它是
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单元电路1功能模块2人机接口本节结束任何一项系统的设计都要遵循一定的原则或标准规范进行电子应用系统设计一般要求遵循以下一些原则:1.兼顾技术的先进性和成熟性当今世界电子技术的发展日新月异系统设计应适应技术发展的潮流使系统能保持较长时间的先进性和实用性同时也要兼顾技术上的成熟性以缩短开发时间和上市时间使设计的单元电路模块化结构化 3.单元电路设计参数选择和元器件选择这一步需要有扎实的电子电路知识对各
LDO线性降压芯片:原理相当于一个电阻分压来实现降压能量损耗大降下的电压转化成了热量降压的压差和负载电流越大芯片发热越明显这类芯片的封装比较大便于散热LDO线性降压芯片如:2596L78系列等 DCDC降压芯片:在降压过程中能量损耗比较小芯片发热不明显芯片封装比较小能实现PWM数字控制DCDC降压芯片如:TPS543031TPS75003MAX159961TPS6104041 关于LDO电源200
北京大学 微电子学研究所 2. 半导体中的载流子:能够导电的自由粒子原 子 能 级4.半导体的掺杂杂质能级:杂质可以使电子在其周围运动形成量子态多子:多数载流子n型半导体:电子p型半导体:空穴少子:少数载流子n型半导体:空穴p型半导体:电子载流子的产生和复合:电子和空穴增加和消失的过程电子空穴对:电子和空穴成对产生或复合体现在:温度和掺杂浓度扩散长度Ln和Lp: L=(D?)12电荷密度
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