磊晶前蓝宝石基板之蚀刻图形化(PPS)工艺1 前言??? 近几年来III族氮化物(III-Nitride)高亮度发光二极体(High Brightness Light Emission Diode HB-led)深获广大重视目前广泛应用于交通号誌LCD背光源及各种照明使用上基本上GaN LED是以磊晶(Epitaxial)方式生长在蓝宝石基板(Sapphire Substrate)上由于磊晶
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图形化衬底(PSS)刻蚀设备工艺研究进展 时间:2012-02-28 浏览779 次 【字体: HYPERLINK javascript:fontZoom(16) 大 HYPERLINK javascript:fontZoom(14) 中 HYPERLINK javascript:fontZoom(12) 小】蓝宝石晶片目前广泛用作III-V族 HYPERLINK
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级微电子工艺学Microelectronic Processing第六章 光刻与刻蚀工艺张道礼 教授Email: zhang-daoli163Voice: 87542894图形转移光 刻刻 蚀薄膜制备掺 杂 扩散掺杂离子注入掺杂物理气相淀积化学气相淀积外 延微电子单项工艺6.1 概述
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单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级Jincheng Zhang掌握光刻胶的组成PR 和 –PR的区别描述光刻工艺的步骤四种对准和曝光系统Explain relationships of resolution and depth of focus to wavelength and numerical aperture.光刻概述 Photolithography
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