单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式少子寿命原理及应用黎晓丰1. 半导体简介2. 非平衡载流子及少子寿命3. 少子寿命影响因素4. 少子寿命的测试方法简介5. WT-2000的运用1. 半导体 (Semiconductor)硅(Si)锗(Ge)砷化镓(GaAs)等导电性介于导体和绝缘体之间(10-4 1010 Ω?cm)电导率和导电型号对杂质和外界因素高度敏感
高频光电导衰减法测量Si中少子寿命一概 述半导体中的非平衡少数载流子寿命是与半导体中重金属含量晶体结构完整性直接有关的物理量它对半导体太阳电池的换能效率半导体探测器的探测率和发光二极管的发光效率等都有影响因此掌握半导体中少数载流子寿命的测量方法是十分必要的测量非平衡少数载流子寿命的方法有许多种分别属于瞬态法和稳态法两大类瞬态法是利用脉冲电或闪光在半导体中激发出非平衡载流子改变半导体的体电阻通过测
#
第33 卷第6 期
晶锭少子寿命偏低事故报告一事故概述最近品管部在对brick进行少子寿命检测的过程中发现有四个晶锭的平均少子寿命偏低它们的晶锭编号和平均少子寿命分别为:1003B08012M1003B03017M1003A08032M1003A02032μsμs μsμs而正常晶锭的平均少子寿命在μs之间brick低少子寿命分布图如图1-1所示图1-1 1003B03017M-A3少子寿命分布图二原因分析制约铸锭多
.Semilab太阳级硅材料少子寿命测试技术与仪器匈牙利Semilab上海代表处 黄 黎2007.06.Semilab 少子寿命测试的基本原理和方法 表面钝化的方法介绍 少子寿命测试在光伏领域的应用 少子寿命测试仪的介绍目录:.Semilab少子寿命测试的基本原理和方法处于热平衡状态下的半导体在一定温度下载流子的浓度是一定的称为平衡载流子浓度 如果对半
2011622??μ子寿命测量报告人张强 08300190060合刘洁(中科大)指导老师乐永康大纲背景介绍理论基础探测方法数据分析本底响应统计区间拟合步幅讨论展望小结背景介绍1.基本粒子2. μ子产生 相对论验证基本粒子模型检验等D. Denisov. Detection of Muons[R]. Academic Lecture Fermilab 2005.理论基础10km15km产生τ0=
#
2015624??μ 子寿命的测量12307110014 范恺??实验装置及电路图μ子→塑料闪烁体→PMT→放大器→甄别器→FPGA→计算机输出信号与输入脉冲周期的关系放大器输出信号与输入信号周期的关系:甄别器输出信号与输入信号周期的关系输出信号与输入脉冲幅度的关系放大器输出信号与输入信号幅度的关系:甄别器输出信号与输入信号幅度的关系???实验本底的分析?误差分析?参考文献[1]吴雨生 吕治严 李
#
违法有害信息,请在下方选择原因提交举报