#
物质的导电性和半导体的导电性知识要点一物质的导电性1金属中的电流金属导体内的电流强度与自由电子的平均定向运动速率有关则由上式可估算出电子的定向运动速率是很小的一般为数量级与电子热运动的平均速率(约数量级)和电的传播速率(即电场的传播速率为)不能混为一谈2液体中的电流(1)液体导电包括液态金属导电与电解质导电两种电解质导电与金属导电的机理不同固态金属导电跟液态金属(如汞)导电的载流子是自由电子在导电
#
实验二 半导体元件输出特性分析本次实验的研究对象是半导体元件主要有二极管三极管双极结型晶体管场效应管主要的研究内容是二极管和三极管的输出特性分析以加深对各元件性质的理解第一部分 二极管输出特性分析绘制电路图如图1所示分析:(1)目的在于理解二极管的伏安特性曲线掌握反向击穿特性(2)所用的PSpice仿真分析方法是直流扫描分析(3)设定主扫描变量为V4从-120V开始扫描到30V每隔001记
半导体的特性:光敏特性热敏特性掺杂特性杂质半导体分为N型半导体和P型半导体N型半导体的元素是4价硅P型半导体元素是3价硼N型半导体多子是电子P型半导体多子是空穴PN结的单向导电性:正向导通反向截止三极管按结构分可分为:PNPPNP型三极管由集电极c基极b发射极e组成三极管的工作区域:截止区(集电结反偏发射结反偏)放大区(发射结正偏集电结反偏)饱和区(集电结正偏发射结正偏)电压关系:NPN:UC>U
半导体的导电特性 P型半导体与N型半导体的特征 PN结及其单向导电特性重点内容1一半导体的导电特性价电子4空穴自由电子abc444444444 共价键的两个价电子 (a)硅和锗原子的简化结构模型 (b)晶体的共价键结构及电子空穴对的产生
实验二 半导体PN结的温度特性及弱电流测量实验目的在室温时测量PN结电流与电压的关系在不同温度条件下测量玻尔兹曼常数学校运算放大器组成电流—电压变话器测量弱电流实验仪器FD-PN-4型PN结物理特性综合实验仪TIP31c型三极管(带三根引线)一只长连接导线11根(6黑5红)手枪式连接导线10根3DG6(基极与集电极已短接有二根引线)一只铂电阻一只实验原理PN结物理特性及玻尔兹曼常数测量 由半导体
#
#
1是导体的电阻4142023是电子电量4142023414202310§ 载 流 子 的 散 射The Scattering of Carriers14载流子在电场作用下沿电场方向(空穴)或反方向(电子)定向运动这就是漂移运动1719空穴Ni越大载流子遭受散射的机会越多温度T越高载流子热运动的平均速度越大可以较快地掠过杂质离子偏转就小所以不易被散射格波能量增加 时
违法有害信息,请在下方选择原因提交举报