相关文档

• 08微电子工艺基础光刻工艺.ppt

  微电子工艺基础Click to edit Master title styleClick to edit Master text stylesgood1Second levelgood2Third levelgood3Fourth levelgood4Fifth levelgood5 Harbin Institute of Technology in WeiHai

• 微电子工艺——光刻技术.ppt

  单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第 5 章 光学光刻光刻曝光刻蚀光源曝光方式 光刻概述 评价光刻工艺可用三项主要的标准：分辨率对准精度和生产效率定义:光刻：是利用类似于洗印照片的原理通过曝光和选择性化学腐蚀等工序将掩膜版上的集成电路图形印制到硅片上的精密表面加工技术 目的：在二氧化硅氮化硅多晶硅和金属等薄膜表面的光刻胶上形成与掩膜版完全对应的几

• 04微电子工艺基础外延工艺.ppt

  #

• 光刻工艺.ppt

  单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级光刻工艺和刻蚀工艺未来几代硅技术对光刻的要求DRAM供货的首年199719992003200620092012DRAM位片256M1G4G16G64G256G最小特征尺寸nm-孤立线条MPU200140100705035最小特征尺寸nm-密集线条DRAM2501801301007050接触孔2802001401108060栅C

• 光刻工艺.ppt

  单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级光刻工艺和刻蚀工艺未来几代硅技术对光刻的要求DRAM供货的首年199719992003200620092012DRAM位片256M1G4G16G64G256G最小特征尺寸nm-孤立线条MPU200140100705035最小特征尺寸nm-密集线条DRAM2501801301007050接触孔2802001401108060栅C

• OLED光刻工艺.ppt

  单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级ConfidentialCopyright ? Visionox 2001－2008OLED光刻工艺 ---------------------2008-5-27 目

• 光刻与刻蚀工艺.ppt

  单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级微电子工艺学Microelectronic Processing第六章 光刻与刻蚀工艺张道礼 教授Email: zhang-daoli163Voice: 87542894图形转移光 刻刻 蚀薄膜制备掺 杂 扩散掺杂离子注入掺杂物理气相淀积化学气相淀积外 延微电子单项工艺6.1 概述

• 基本光刻工艺流程.ppt

  单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第八章 基本光刻工艺流程 光刻的目的和意义第四章已做过简单的描述这一章主要介绍基本光刻工艺中的表面准备至曝光的工艺步骤及光刻胶的特性8.1 简介 光刻工艺首先是 在晶园表面建立尽可 能接近设计规则中所 要求尺寸的图形其 次是在晶园表面正确 定位图形 因为最终的图形是用多个掩膜

• 10微电子工艺基础封装技术.ppt

  微电子工艺基础Click to edit Master title styleClick to edit Master text stylesgood1Second levelgood2Third levelgood3Fourth levelgood4Fifth levelgood5 Harbin Institute of Technology in WeiHai

• 09微电子工艺基础掺杂技术.ppt

  微电子工艺基础Click to edit Master title styleClick to edit Master text stylesgood1Second levelgood2Third levelgood3Fourth levelgood4Fifth levelgood5 Harbin Institute of Technology in WeiHai