RESIMPKU致 谢 张亚文 教授司 锐 博士孙聆东 教授冯 玮 博士袁 荃 博士李振兴 博士刘海超 教授 (PKU)宋卫国 教授 (IC CAS)寇 元 教授 (PKU)李 灿 教授 (DICP CAS)林炳雄 教授 (PKU)包信和 教授 (DICP CAS)马 丁 教授(PKU)赵东元 教授 (Fudan U)施章杰 教授(PKU)王建方 教授
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2011年在中财网上的一篇文章上出现了这样一句话: 如果你错过了石墨烯就不要再错过辉钼了《辉钼有望替代硅成为新一代半导体材料》这是科技日报上的一篇文章该文章报道瑞士洛桑联邦理工学院纳米电子学与结构实验室称:用一种名为辉钼的材料制造半导体或者制造更小效能更高的电子芯片在下一代纳米电子设备领域将比传统的硅材料或富勒烯更有优势5.场效应晶体管 单层MoS2的电子迁移率在室温
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河北师
CdSFeP复合光催化材料界面结构与性质的理论研究赵宗彦田凡 1 昆明理工大学材料科学与工程学院昆明650093 2 云南大学材料科学与工程学院云南省微纳材料与技术重点实验室昆明650504 物理化学学报201632(10):
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TiO 2 -HNbMoO 6 复合材料的结构特征及其光催化性能胡丽芳何杰刘媛赵芸蕾陈凯 1 安徽理工大学化学工程学院 安徽淮南 232001 2 安徽理工大学地球与环境学院 安徽淮南 232001 样品的N2吸附脱附等温线 (a) HNbMoO 6 (b) TiO 2 -HNbMoO 6 物理化学学报201632(3):
第40卷第6期
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