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  § 场效应管的放大电路P沟道2符号56 UGS<0 UDS>0V1. 栅源极间的电阻虽然可达107以上但在某些场合仍嫌不够高13转移特性曲线ID P沟道MOSFET的工作原理与N沟道MOSFET完全相同只不过导电的载流子不同供电电压极性不同而已这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样 ④ 输入电阻RGS 场效应三极管的栅源输入电阻的典型值对于结型场效应三极管反偏时R

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  ? 三种基本放大电路的性能比较vGSQ点：可解出Q点的VGS ID VDS （2）高频模型（2）中频电压增益 例 共漏极放大电路如图示试求中频电压增益输入电阻和输出电阻（4）输出电阻BJTCE： 结型场效应管CE：则电压增益为

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  P沟道JFET两边是P区G 若加入UGS <0PN结反偏耗尽层变厚漏源电压VDS对iD的影响 随VDS增大这种不均匀性越明显（2）恒流区：(又称饱和区或放大区）条件：整个沟道都夹断 P沟道耗尽型金属电极 绝缘层目前常用二氧化硅故又称金属-氧化物-半导体场效应管简称MOS场效应管2 .漏源电压VDS对沟道导电能力的影响MOSFET的特性曲线P沟道增强型 2. 夹断电压VP

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  单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第四章 场效应管放大电路 引言： 1.场效应管的特点 (1)它是利用改变外加电压产生的电场强度来控制其导电能力的半导体器件 (2)它具有双极型三极管的体积小重量轻耗电少寿命长等优点 (3)还具有输入电阻高热稳定性好抗辐射能力强噪声低制造工艺简单便于集成等特点 (4)在大规模及超大规模集成电路中得到了广泛的应用 2.场效应

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  P沟道符号： 定义： 开启电压（ UT）——刚刚产生沟道所需的栅源电压UGS gm=?iD?uGS? uDS=const (单位mS) gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用 在转移特性曲线上 gm为的曲线的斜率 在输出特性曲线上也可求出gm 3P沟道耗尽型MOSFET两个PN结夹着一个N型沟道三个电极：