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单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级LTE (Long Term Evolution )简介1.LTESAE网络是为了有效填补3G和4G系统 之间的巨大技术差距2. LTESAE网络是一个具有高数据率低时延 支持多种接入技术基于全分组化的移动通讯网络3.支持扁平化的网络层次架构网络节尽量压缩4.LTESAE网络在无线传输技术空
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单击此处编辑母版样式单击此处编辑幻灯片母版样式第二层第三层第四层第五层第六章 半导体发光二极管显示发光二极管LED用材料及发光机制制作工艺用途及发展前景16.1 发光二极管当在其整流方向施加电压时有电流注入电子与空穴复合其一部分能量变换为光并发射的二极管由半导体制成属于固体元件连续通电时间可达105h以上 LED的发光近于单色1907年Round首次在碳化硅晶体中发现LED的注入型发光现象1968
Click to edit Master title styleClick to edit Master text stylesSecond levelThird levelFourth levelFifth levelFall 2006Costas Busch - RPILex Fall 20061Costas Busch - RPILex: a lexical analyzer A Lex p
LED产生光子发射的主要条件是系统必须处于非平衡状态(即半导体内需要有某种激发过程存在通过非平衡载流子的复合才能形成发光)LED注入发光机构复合?辐射复合:带带复合浅施主-价带或导带-浅受主间复合(施受主的电离能都很小跃迁与带-带跃迁很难区别但由于引入杂质能级位于K为(000)外则使动量守恒定律较易满足提高了直接跃迁几率)施受主之间的复合通过深能级的复合等电子陷阱等?非辐射复合:多声子复合俄歇复合
按一下以編輯母片標題樣式按一下以編輯母片第二層第三層第四層第五層Overall Equipment Effectiveness設備綜合效率詳解大綱相關概念適用范圍統計手法分析說明相關表格一OEE的定義 OEE IMPACT是由英国Gemba Solutions 开发用于改善收集和分析制造现场数据并且建立在已经被工业界普遍接受的OEEGemba KaizenSix Sigm(六西格码)TQML
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级LTE 技 术 广州凯曼信息科技有限2目标了解无线技术发展历程了解LTE技术和网络架构掌握LTE组网方案及基站结构广州凯曼信息科技有限3内容 LTE概述 LTE的关键技术 LTE网络构架及网元功能 LTE系统无线接入设备简介广州凯曼信息科技
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