微波
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CVD镀膜机自动化控制
等离子体化学气相沉积(PECVD)NH3SiH4真空400℃高频光放电Si3N4·H刻蚀后硅片H2过量的SiH4Si3N4沉积在硅片表面形成一层薄膜硅片HWR-4型不锈钢硅烷燃烧塔丝网印刷化学反应式: SiH4 NH3→Si3N4H2↑NH3的存在有利于活性的流动和扩散提高了薄膜的生长速度淀积速率可达30nmmin并大大降低了淀积温度 :
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第33 卷 第11 期
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微波法大功率稳定快速沉积CVD金刚石膜黄建良汪建华(1.武汉工程大学等离子体化学与新材料省重点实验室湖北 武汉4300732.中国科学院等离子体物理研究所安徽 合肥230031)摘 要:为了提高微波等离子体化学气相沉积CVD金刚石膜的速率通过对微波源的磁控管装置的冷却系统及真空密封技术三方面的改进当微波频率输出有效功率为以上时装置能够长期稳定地运行并在微波输入功率CH4质量分数气体流量150SC
12 实验二 等离子体增强化学气相沉积制备薄膜实验目标了解等离子体增强化学气相沉积(PECVD)制备薄膜的基本原理。了解等离子体增强化学气相沉积(PECVD)制备薄膜的实验流程。实验原理化学气相沉积(CVD)是一种具有广泛应用范围,例如,热CVD是IC制造中大多数外延生长的基础。化学气相沉积的优点是:所得的薄膜纯度高,致密,易形成结晶定向好的薄膜,在电子工业中广泛用于高纯材料和单晶材料的制备;能
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