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首先要进行MOSFET的选择MOSFET有两大类型:N沟道和P沟道在功率系统中MOSFET可被看成电气开关当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时其开关导通导通时电流可经开关从漏极流向源极漏极和源极之间存在一个内阻称为导通电阻RDS(ON)必须清楚MOSFET的栅极是个高阻抗端因此总是要在栅极加上一个电压这就是后面介绍电路图中栅极所接电阻至地如果栅极为悬空器件将不能按设计意图工作并可
一前言:早期的模拟开关大多工作于±20V 的电源电压导通电阻为几百欧姆主要用于模拟信号与数字控制的接口近几年集成模拟开关的性能有了很大的提高它们可工作在非常低的电源电压具有较低的导通电阻微型封装尺寸和极佳的开关特性被广泛用于测试设备通讯产品PBXPABX 设备以及多媒体系统等一些具有低导通电阻和低工作电压的模拟开关成为机械式继电器的理想替代品模拟开关的使用方法比较简单但在具体应用中应根据实际
MOS管开关电路设计知识 学过模拟电路竟然连MOS管的用法都不是很懂真是杯具在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候大部分人都会考虑MOS的导通电阻最大电压等最大电流等也有很多人仅仅考虑这些因素这样的电路也许是可以工作的但并不是优秀的作为正式的产品设计也是不允许的 下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结其中参考了一些非全部包括MOS管的介绍特性驱动以
目 录 TOC o 1-3 h z HYPERLINK l _Toc148435797 一工程概况 PAGEREF _Toc148435797 h 2 HYPERLINK l _Toc148435798 二临时用电计算及配电装置配置 PAGEREF _Toc148435798 h 2 HYPERLINK l _Toc148435799 三用电技术措施
TN-S或TN-CS系统中漏电保护开关频繁动作的常见原因有哪些1)线路或设备绝缘问题2)零地混接或中性线重复接地3)三极漏电开关带单相负荷4)漏电开关带冲击负荷造成漏电保护误动5)所带负荷有较大的正常泄漏电流如多个计算机什么时候使用4极的漏电开关1) TT系统内的漏电开关应为4极2) TN-S或TT系统防火漏电开关应为4极3) 末端双电源转换开关的漏电开关:应选用4极为什么风机水泵类负载使用变频器
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MOSCMOS集成电路简介及N沟道MOS管和P沟道MOS管MOSCMOS集成电路MOS集成电路特点:制造工艺比较简单成品率较高功耗低组成的逻辑电路比较简单集成度高抗干扰能力强特别适合于大规模集成电路MOS集成电路包括:NMOS管组成的NMOS电路PMOS管组成的PMOS电路及由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路即CMOS电路PMOS门电路与NMOS电路的原理完全相同只是电源极性相
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电感是开关电源中常用的元件由于它的电流电压相位不同所以理论上损耗为零电感常为储能元件也常与电容一起用在输入滤波和输出滤波电路上用来平滑电流电感也被称为扼流圈特点是流过其上的电流有很大的惯性换句话说由于磁通连续特性电感上的电流必须是连续的否则将会产生很大的电压尖峰?电感为磁性元件自然有磁饱和的问题有的应用允许电感饱和有的应用允许电感从一定电流值开始进入饱和也有的应用不允许电感出现饱和这要求在具
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