化学气相沉积(CVD)是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术包括大范围的绝缘材料大多数金属材料和金属合金材料从理论上来说它是很简单的:两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内然后他们相互之间发生化学反应形成一种新的材料沉积到晶片表面上淀积氮化硅膜(Si3N4)就是一个很好的例子它是由硅烷和氮反应形成的概述反应室中的反应是很复杂的有很多必须考虑的因素沉积参数的变化范围是很宽的:反应室
化学气相沉积法摘要:本文从化学气相沉积法的概念出发详细阐述了利用化学气相沉积法制备石墨烯以及薄膜并展望了未来化学气相沉积法可能的发展方向关键词:化学气相沉积法制备应用前言近年来各国科学工对化学气相沉积进行了大量的研究并取得一定的显著成果例如从气态金属卤化物(主要是氯化物)还原化合沉积制取难熔化合物粉末及各种涂层(包括碳化物硼化物硅化物氮化物)的方法其中化学沉积碳化钛技术已十分成熟化学气相沉积还
??? ?? ??? ????? ??? ???? ??????? ???? ???? ????? ????? ?? ??? ????? ??? ???? ??????? ???? ???? ????? ??第四章 化学气相沉积4.1 化学气相沉积合成方法发展化学气相沉积乃是通过化学反应的方式利用加热等离子激励或光辐射等各种能源在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固
#
由 提供 科学指南金刚石及相关材料16(2007)253-261以化学气相沉积(CVD)获得的大面积金刚石薄膜的抛光技术的评估. Tsaia . Ting bc . Chou ba机械与机电工程 学系国立台湾海洋大学台湾202号b机械工程学系国立交通大学台湾300号c机械与系统研究所工业技术研究院台湾310号收稿2006年3月4日修稿2006年5月26日接受2006年6月24日网上提供
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级Chemical Vapor Deposition化学气相沉积要点: 化学气相淀积的基本原理-过程反应速度 CVD特点 CVD装置 低压CVD 等离子体化学气相淀积 PECVD 金属有机物化学气相沉淀(MOCVD) 4.1 简介Hardest mat.-Damaged the hardnes
#
#
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级材料表面强化技术第三章 气相沉积技术 气相沉积是利用气相中发生的物理化学过程改变工件表面成分在表面形成具有特殊性能的金属或化合物涂层TargetMediumSubstrate 气相沉积的物理基础 相变驱动力是亚稳定的气相与沉积固相之间的吉布斯自由能差沉积的相变阻力还是形成新相表面能的增加 气相沉积的必要
讲 座
违法有害信息,请在下方选择原因提交举报