单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级3 半导体二极管及其基本电路3.1 半导体的基本知识3.3 半导体二极管3.4 二极管基本电路及其分析方法3.5 特殊二极管3.2 PN结的形成及特性13.1 半导体的基本知识 3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体 3.1.4 杂质半导体半导体:导电特性介于导体和绝缘体之间
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纯净且晶格完整的半导体称为本征半导体 自由电子 PN结的形成及特性PN结的形成 PN结加正向电压时呈现低电阻具有较大的正向扩散电流PN结加反向电压时呈现高电阻具有很小的反向漂移电流由此可以得出结论:PN结具有单向导电性 二极管的伏安特性 理想二极管模型 恒压降模型 折线模型 交流小信号等效模型 利用二极管的单向导电性将交流电转换为直流电的电路称为整流电路在整流电路中由于电源电压远大于二极管的正
理想运放工作特点(2)工作在非线性(饱和区)工作区的特点当理想运放组成的基本运算电路】32720235.减法运算【uP<uN uo =- UOM -UOM【安徽科技学院安徽科技学院3272023安徽科技学院3272023总结安徽科技学院采用不同的掺杂工艺将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上在它们的交界面就形成PN结PN结具有单向导电性23当扩散电流等于漂移电流时达到动态平衡形成PN结安徽科技
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北师大信息科学与技术学院电子系杨绪业CRTIN器解信息技术的若干前沿问题软件技术:结构软件活性软件自动软件人机交互:智能计算机信息可视化等高端计算:网络计算量子计算生物计算等新一代数据空间与移动通信下一代因特网本地多点分配业务数字地球数字图书馆信息安全44自由电子 PN结的形成 (1)使P型和N型半导体结合在交界面两侧存在载流子浓度差多子互相扩散留下了一个几乎没有多子只
Click 要知道:N型和P型半导体的区别PN结的导电特性硅和锗二极管阈值电压和正向导通电压值温度对二极管特性和参数的影响常用特种二极管以及倍压整流使用要点会计算:用等效电路法计算二极管电路参数单相桥式整流电路单相桥式整流电容滤波电路的输出电压输出电流会画出:单相桥式整流电容滤波电路二极管限幅电路的输出波形会确定:选用二极管滤波电容变压器所依据的主要参数会分析:单相桥式整流电容滤波电路中故障原因会
模拟电子技术基础第10章 集成运算放大器 PN结的基本知识4光照.1 本征半导体及其导电性 PN结的基本知识 本征硅的原子浓度: ×1022cm3 自由电子空穴3. 内电场?少子的漂移运动 ?阻止多子的扩散空穴 ?内电场阻止多子扩散 2. PN结的单向导电性2. PN结的单向导电性 齐纳击穿 15平面型 二极管的伏安特性19图
第2章 半导体三极管及其基本放大电路教学基本要求掌握: 双极型三极管的外特性共射共集放大电路的工作原理静态工作点的估算及用简化小信号模型电路分析电压放大倍数输入电阻输出电阻 熟悉:双极型三极管的工作原理主要参数及使用方法共射共集放大电路的主要特点和主要用途共集放大电路的的静态工作点及电压放大倍数输入电阻输出电阻了解: 温度对静态工作点的影响图解分析法共基放大电路的主要特点和主要用途光电三极管
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