Institute of Microelectronics PKU 第四章 半导体器件物理基础上一章课的主要内容半导体N型半导体P型半导体本征半导体非本征半导体载流子电子空穴平衡载流子非平衡载流子过剩载流子能带导带价带禁带掺杂施主受主输运漂移扩散产生复合据统计:半导体器件主要有67种另外还有110个相关的变种所有这些器件都由少数基本模块构成: pn结金属-半导体接触 MOS结构 异质结 超晶格
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单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第1章 半导体器件基础 (3) 饱和区 曲线靠近纵轴附近 各条输出特性曲线的上升部分属于饱和区 在这个区域 不同IB值的各条特性曲线几乎重叠在一起 即当UCE较小时 管子的集电极电流IC基本上不随基极电流IB而变化 这种现象称为饱和此时三极管失去了放大作用 ICβIB或ΔICβΔIB关系不成立
P集电结C集电极E发射极N 型 Si 衬底Fundamental of Semiconductor DevicesChapter 2 Basic Properties of Bipolar Junction TransistorsP 隔离区Fundamenta
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半导体器件基础
半导体基础知识和半导体器件工艺第一章 半导体基础知识 通常物质根据其导电性能不同可分成三类第一类为导体它可以很好的传导电流如:金属类铜银铝金等电解液类:NaCl水溶液血液普通水等以及其它一些物体第二类为绝缘体电流不能通过如橡胶玻璃陶瓷木板等第三类为半导体其导电能力介于导体和绝缘体之间如四族元素Ge锗Si硅等三五族元素的化合物GaAs砷化镓等二六族元素的化合物氧化物硫化物等 物体的导电能力
PN结第二章 PN结●热平衡PN结●加偏压的PN结●理想PN结的直流电流-电压特性●空间电荷区的复合电流和产生电流●隧道电流●I-V特性的温度依赖关系●耗尽层电容●小信号交流分析●电荷贮存和反向瞬变●PN结击穿引言PN结是几乎所有半导体器件的基本单元除金属-半导体接触器件外所有结型器件都由PN结构成PN结本身也是一种器件-整流器PN结含有丰富的物理知识掌握PN结的物理原理是学习其它半导体器件器件物
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级外界影响光注入电注入光敏电阻电阻和电阻率1.2 晶格振动1.晶体原子离开其平衡位置的热振动2.声子概念3.电子和声子相互作用1.3 Carrier Transport Phenomenamobilityresistivity Basic Equation for Semiconductor-Device OperationRe
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级Principle of Semiconductor Device教材:北京大学出版社曾树荣《半导体器件物理基础》教材分为两部分:第一部分半导体基本知识和pn结理论第二部分阐述主要半导体器件的基本原理和特性Principle of Semiconductor Device回去预习:半导体物理该课程可被应用于:集成电路制造和后端
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