单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级School of Microelectronics半导体物理SEMICONDUCTOR PHYSICS 西安电子科技大学微电子学院第四章 半导体中载流子的输运现象4.1 载流子的漂移运动与迁移率4.2 半导体中的主要散射机构 迁移率与平均自由时间的关系4.3 半导体的迁移率电阻率与杂质浓度和温度的关系4.4 载流子

二00四至二00五学年第一学期一选择填空(含多选题)(18分)1与半导体相比较绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量( A )A比半导体的大 B比半导体的小 C与半导体的相等2室温下半导体Si掺硼的浓度为1014cm-3同时掺有浓度为1.1×1015cm-3的磷则电子浓度约为( B )空穴浓度为( D)费米能级为(G)将该半导体由室温度升至570K则多子浓度

目 录绪论…………………………………………………………………...………... …. .. 2 第一章 半导体晶体结构和缺陷…………………………………………… …..……21.1 半导体的晶体结构……………………………………………….………21.2 晶体的晶向与晶面……………………………………………….………41.3 半导体中的缺陷………………………………………………

电子科技大学二零 一零 至二零 一一 学年第 一 学期期 末 考试1．对于大注入下的直接辐射复合非平衡载流子的寿命与(D )A. 平衡载流子浓度成正比 B. 非平衡载流子浓度成正比C. 平衡载流子浓度成反比 D. 非平衡载流子浓度成反比2．有3个硅样品其掺杂情况分别是：含铝1×10-15cm-3 乙.含硼和磷各1×10-17cm-3 丙.含

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级半导体激光器原理与制造Semiconductor laser diodePrincipleFabrication主要内容1.半导体物理基础知识2.半导体激光器工作原理3.工作特性及参数4.结构及制造工艺5.面发射激光器半导体物理基础知识能带理论直接带隙和间接带隙半导体能带中电子和空穴的分布量子跃迁半导体异质结半导体激光器的材料

电子科技大学二零 九 至二零 一零 学年第 一 学期期 末 考试 半导体物理 课程考试题 B卷 ( 120分钟) 考试形式： 闭卷 考试日期 2010年 元月 18日课程成绩构成：平时 10 分 期中 5 分 实验 15 分 期末 70 分一二三四五六七八九十合计复核人签名得分签名得 分填空题: (共16分每空1 分)简并半导体一般是 重 掺杂半导

§2 非平衡载流子的寿命当外界因素撤除后非平衡载流子浓度△n(△p)是随时间按指数规律逐渐衰减即非平衡载流子在导带和价带之间有一定的生存时间但长短不一非平衡载流子在外界因素撤除后的生存时间的平均值称为非平衡载流子的寿命记作因非平衡少子作用显著通常指非平衡在少子寿命 自由时间倒数 =P寿命的倒数 相当于复合几率非平衡载流子的复合率：单位时间单位体积净复合而消失的电子--空穴对数复

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级电子科技大学 微电子固体电子学院半导体物理学祝远锋Semiconductor Physics课程任务 阐述半导体物理的基础理论和半导体的主要性质以适应后续专业课程的学习 教材：《半导体物理学》(第7版)刘恩科等 电子工业出版社 参考：《半导体物理学》上册 叶良修编 《半导体物理学》 顾祖毅编《Physics o

第五章 结型场效应晶体管5-1 硅N沟道JFET具有图5-1a的结构以及以下参数：和计算：(a)自建电势(b)夹断电压 (c)电导G以及(d)在栅极和漏极为零偏压时实际的沟道电导 解： (a) (b) (c) () (d) ()5-2

第二章 半导体中的杂质和缺陷能级实际晶体中①原子不是静止的在平衡位置附近做振动②半导体不是纯净的——含有杂质③半导体的晶格并非完美的总是存在缺陷的(点缺陷线缺陷面缺陷) §1 SiGe中的杂质能级 半导体杂质的主要来源：原料纯度不够制造过程中的污染为了控制材料性能而认为引入的杂质 1替位式杂质间隙式杂质 金刚石结构中8个原子的体

单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式半导体物理单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式2007.11.1半导体物理复习课第一章 半导体中的电子状态晶体结构与共价键金刚石型结构闪锌矿型结构纤锌矿型结构氯化钠型结构能级与能带电子在原子核势场和其他电子作用下分列在不同能级相邻原子壳层形成交叠原子相互接近 形成晶体共有化运动共有化运

第四章 半导体的导电性本章思路一个概念：载流子散射的概念一个运动：载流子漂移运动一个规律：电阻率电导率迁移率随掺杂浓度与温度的变化规律 §1 载流子的漂移运动 迁移率1欧姆定律的微分形式——由于宏观样品不均匀所以欧姆定律的宏观形式不可用J为电流密度2漂移速度和迁移率载流子在外电场E的作用下会顺(逆)着电场方向作定向运动——漂移运动图

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级半导体物理哈尔滨工业大学微电子科学与技术系张 宇 峰 课程性质：专业基础课学分：4.5时间：周二7-8节周四1-2节周五7-8节(双)考试时间：18周 周三 10:00-12:00教室：致知2122 哈工大科学园2A楼602室 86413451 yufeng_zhanghit.

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级1 第五章 电子的输运性质 绝缘体(10-8一10-20? -1 cm-1) 材料 半导体(105一l0-7 ? -1 cm-1) 导体(106一108 ? -1 cm-1) 金属键结合的导体其电导率随温度的

单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式School of Microelectronics半导体物理SEMICONDUCTOR PHYSICS 西安电子科技大学微电子学院 第一章 半导体晶体结构和缺陷1.1 半导体的晶体结构1.2 晶体的晶向与晶面1.3 半导体中的缺陷绪 论什么是半导体按不同的标准有不同的分类方式按固体的导电能力区分可以区分为导体半导体和绝

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级1. P型半导体霍耳效应的形成过程 一P型半导体霍尔效应 §4-5 半导体的霍尔效应BzdbVHIlBAzyx○_fεxfLfεy电场力：fε=qεx 磁场力：fL=qBz y方向的电场强度为：εy 平衡后： fεxfLqεy 令： (RH)P为P型材料的霍尔系数两种载流子同时存在霍尔效应 有四种横向电流分

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级浅能级杂质的特点:浅能级杂质的作用:载流子浓度=(∫状态密度g(E) ×分布函数f(E)dE)V状态密度=所掺施主杂质的浓度ND(E=ED)状态密度=所掺受主杂质的浓度NA(E=EA)重点：n0p0EF随掺杂浓度和温度的变化规律方法： n0p0nDPA 电中性方程温 区 低温 中温

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第五章 非平衡载流子 在外界因素的作用下能带中的载流子数目发生明显的改变即产生非平衡载流子 晶体管放大 半导体发光 光电导本章内容： 非平衡载流子的注入 非平衡载流子的复合与寿命 陷阱效应

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第七章 金属和半导体接触7.1 金属半导体接触及其能级图7.2 金属半导体接触整流理论7.3 少数载流子注入和欧姆接触7.1 金半接触及其能带图0k时金属：E<EF时能级填满 E>EF时能级全空一定温度T下金属中EF附近电子热激发跃迁到E>EF的能级金属内部的电子好像在势阱中运动

单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式School of Microelectronics半导体物理SEMICONDUCTOR PHYSICS 西安电子科技大学微电子学院 第一章 半导体晶体结构和缺陷1.1 半导体的晶体结构1.2 晶体的晶向与晶面1.3 半导体中的缺陷绪 论什么是半导体按不同的标准有不同的分类方式按固体的导电能力区分可以区分为导体半导体和绝