相关文档

• 005第五章结型场效应晶体管.doc

  第五章 结型场效应晶体管5-1 硅N沟道JFET具有图5-1a的结构以及以下参数：和计算：(a)自建电势(b)夹断电压 (c)电导G以及(d)在栅极和漏极为零偏压时实际的沟道电导 解： (a) (b) (c) () (d) ()5-2

• 第七章MOS场效应晶体管.ppt

  § 基本工作原理和分类§ 阈值电压§ I-V特性和直流特性曲线§ 击穿特性§ 频率特性§ 功率特性和功率MOSFET结构§ 开关特性§ 温度特性§ 短沟道和窄沟道效应一MOSFET的基本结构§ MOSFET基本工作原理和分类 当VGS=0V时漏源之间相当两个背靠背的二极管在DS之间加上电压不会在DS间形成电流栅源电压对沟道的影响类型衬底沟道载流子IDS方向电路符号BD一MOSFET的

• 单极型晶体管（场效应管）.ppt

  2-4-1 结型场效应管1.结构与符号饱和区2-4-3 场效应管特性参数导电结构β（=20200）较小

• 场效应晶体管.ppt

  场效应晶体管场效应管的特点结型场效应管绝缘栅场效应管第四节一二三第四章第四节 场效应晶体管分类绝缘栅场效应管结型场效应管第四节场效应晶体管简称场效应管用FET来表示 (Field Effect Transistor)一绝缘栅场效应管绝缘栅场效应管是一种金属—氧化物—半导体场效应管简称MOS管MOS管按工作方式分类增强型MOS管耗尽型MOS管N沟道P沟道N沟道P沟道第四节(一)N沟道增强型M

• 场效应晶体管.ppt

  Textmasterformate durch Klicken bearbeitenZweite EbeneDritte EbeneVierte EbeneFünfte EbeneKlicken Sie um das Titelformat zu bearbeitenPage ? Textmasterformate durch Klicken bearbeitenZweite EbeneDritt

• 第2章晶体三极管和场效晶体管.ppt

  　　　单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级　　　　单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级　　　　单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级　　　　单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级　第 2 章　晶体三极管和场效晶体管本章学习目标2.1　晶体三极管2.2　场效晶体

• MOS场效应晶体管.ppt

  Title of this SliceFirst Subtitel2nd level3rd Level4th Level5th Level1第五章 MOS 场效应晶体管5.1 MOS场效应管 5.2 MOS管的阈值电压5.3 体效应 5.4 MOSFET的温度特性 5.5 MOSFET的噪声5.6 MOSFET尺寸按

• 006第六章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管_20060411_完成.doc

  第六章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管6-1．绘出在偏压条件下结构中对应载流子积累耗尽以及强反型的能带和电荷分布的示意图采用N型衬底并忽略表面态和功函数的影响解：N型衬底S(1)载流子积累()(2)载流子耗尽层()(3)载流子强反型() M能带 6-2．推导出体电荷表面电势以及表面电场的表达式说明在强反型时他们如何依赖于衬底的掺杂浓度在至 范围内画出体电荷表面电势及电场与的关系解：1)

• 10.3半导体场效应晶体管.pptx

  半导体场效应晶体管场效应管放大器大连理工大学微电子学院张贺秋参考：武汉大学物理科学与技术学院PPT场效应管放大电路三种基本接法共源场效应管放大电路自给偏压式共源场效应管放大电路自给偏压－直流工作点UGSIDUDS作图法共源场效应管放大电路自给偏压－直流工作点UGS，IDUDS共源场效应管放大电路分压式或?GADS场效应管放大电路的动态分析 低频小信号等效模型 (以N沟道增强型MOS管

• 5.场效应晶体管习题.doc

  已知场效应管的输出特性曲线如图P122所示，画出它在恒流区的转移特性曲线。2、N沟道JFET的转移特性如图3．1所示。试确定其饱和漏电流IDSS和夹断电压VP。3、N沟道JFET的输出特性如图3．2所示。漏源电压的VDS＝15V，试确定其饱和漏电流IDSS和夹断电压VP。并利用转移特性公式计算VGS＝-2V时的跨导gm。图3．1图3．24 在图3．3所示的放大电路中，已知VDD＝20V，RD＝