单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级无机材料物理与化学 在半导体能带结构中把价带顶取作能量零点能量零点以下称为价带能量零点以上称为导带在导带底和价带顶之间的间隙则称为禁带其宽度称为禁带宽度用Eg表示E-K能带结构中波矢K是一个矢量构成一个复杂的三维空间在画能带结构图时人们往往只画出K空间的ГXL等几个重要方向上能量E的变化ГX和L分别为K空间的零点[100]方向

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级ZnO掺杂能带示意图第3章 半导体异质结pn结的两边是采用同一种材料称为同质结 由两种不同的半导体单晶材料组成的结则称为异质结 N和P表示宽带半导体n和p表示窄带半导体p型GaAs与P型AlGaAs 同型异质结 p型GaAs与N型AlGaAs异型异质结 3.1 异质结及其能带图一些Ⅲ-Ⅴ族化合物及几种Ⅱ-Ⅵ族化合物的禁带宽

单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级.1ppt单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式.1ppt单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式.1ppt单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第十一章 半导体光电子器件原子核电子高能级低能级孤立原子的能级围绕原子核旋转的电子能量不能任意取值只能取特定的离散值(离散轨道)这种现象称为电子能量的量子化电子优先抢占低能级半导体的能带在大量原子相互靠近形成半导体晶体时由于半导体晶体内部电子的共有化运动使孤立原子中离散能级变成能带在晶体物理中通常把这种形成共价键的价电子所占据

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级School of Microelectronics半导体物理SEMICONDUCTOR PHYSICS西安电子科技大学微电子学院第二章 半导体的能带与杂质能级2.1 半导体中电子共有化运动与能带2.2 半导体中的电子的E(k)k关系 有效质量和 k空间等能面2.3 SiGe和GaAs的能带结构2.4

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级如何分析第一性原理的计算结果电荷密度图( charge density )态密度图 ( density of states 简称DOS )能带结构图( energy band structure )成键极性强弱判断成键的轨道情况体内Ga层与表面Ga层电荷密度图费米能级处于DOS为零的区间说明该体系为半导体或绝缘体DOS峰跨过费