单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第五章 刻蚀工艺内 容 概述 干法刻蚀 湿法刻蚀 应用1. 概述图形转移刻蚀种类 干法： 气态等离子体中发生物理或化学反应 亚微米尺寸 湿法： 液态化学试剂中发生化学反应 尺寸大于3微米按材

单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级天津工业大学单击此处编辑母版标题样式Chap.8 光刻与刻蚀工艺光刻的重要性及要求1光刻工艺流程23湿法刻蚀与干法刻蚀技术45曝光光源曝光方式以及掩膜版光刻工艺的分辨率及光刻胶天津工业大学光刻与刻蚀的定义光刻工艺的重要性：IC设计流程图光刻图案用来定义IC中各种不同的区域如：离子注入区接触窗有源区栅极压焊点引线孔等主流微电子制造过程中光刻是最复杂昂贵

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级光刻版制作 这一节简单介绍光刻版的制作过程最初的光刻版是由涂上感光乳剂的玻璃板制成但由于感光乳剂容易划伤在使用中变质且不能分辩3μm以下的图形现在最常用的感光版使用玻璃涂敷铬技术制做过程如图所示 最受欢迎的光刻版制作材料是硼硅酸盐玻璃或石英它们有良好的尺寸稳定性和曝光波长的传输性能光刻掩膜版制作工艺流程图形刻

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第八章 光刻与刻蚀工艺主 讲：毛 维midian126 西安电子科技大学微电子学院绪论光刻：通过光化学反应将光刻版(mask)上的图形 转移到光刻胶上刻蚀：通过腐蚀将光刻胶上图形完整地转移到Si片上光刻三要素： ①光刻机 ②光刻版(

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级2010-3-12??上海神舟新能源发展有限刻蚀工序工艺培训刻蚀:主要负责电池片边缘的刻蚀和扩散后硅片上磷硅玻璃的清洗设备(单晶线):志圣等离子刻蚀机和捷佳创去磷硅玻璃清洗机刻蚀工序简介等离子刻蚀机去磷硅玻璃清洗机刻蚀工序简介去PSG清洗工艺简介等离子刻蚀工艺简介工艺原理工艺要素程式的建立原理及目的工艺流程工艺细节检验及常

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级微电子工艺学Microelectronic Processing第六章 光刻与刻蚀工艺张道礼 教授Email: zhang-daoli163Voice: 87542894图形转移光 刻刻 蚀薄膜制备掺 杂 扩散掺杂离子注入掺杂物理气相淀积化学气相淀积外 延微电子单项工艺6.1 概述

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第七章 刻蚀工艺基本概念定义：用光刻方法制成的微图形只给出了电路的行貌并不是真正的器件结构因此需将光刻胶上的微图形转移到胶下面的各层材料上去这个工艺叫做刻蚀41820221目的：把经过曝光 显影后的光刻胶微图形中下层材料的裸露部分去掉 即在下层材料上重现与光刻胶相同的图形41820222§2 VLSI对图形转移的要求保真度