单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级微电子工艺学Microelectronic Processing第六章 光刻与刻蚀工艺张道礼 教授Email: zhang-daoli163Voice: 87542894图形转移光 刻刻 蚀薄膜制备掺 杂 扩散掺杂离子注入掺杂物理气相淀积化学气相淀积外 延微电子单项工艺6.1 概述
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级Jincheng Zhang掌握光刻胶的组成PR 和 –PR的区别描述光刻工艺的步骤四种对准和曝光系统Explain relationships of resolution and depth of focus to wavelength and numerical aperture.光刻概述 Photolithography
单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级天津工业大学单击此处编辑母版标题样式Chap.8 光刻与刻蚀工艺光刻的重要性及要求1光刻工艺流程23湿法刻蚀与干法刻蚀技术45曝光光源曝光方式以及掩膜版光刻工艺的分辨率及光刻胶天津工业大学光刻与刻蚀的定义光刻工艺的重要性:IC设计流程图光刻图案用来定义IC中各种不同的区域如:离子注入区接触窗有源区栅极压焊点引线孔等主流微电子制造过程中光刻是最复杂昂贵
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单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级光刻工艺和刻蚀工艺未来几代硅技术对光刻的要求DRAM供货的首年199719992003200620092012DRAM位片256M1G4G16G64G256G最小特征尺寸nm-孤立线条MPU200140100705035最小特征尺寸nm-密集线条DRAM2501801301007050接触孔2802001401108060栅C
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单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级2010-3-12??上海神舟新能源发展有限刻蚀工序工艺培训刻蚀:主要负责电池片边缘的刻蚀和扩散后硅片上磷硅玻璃的清洗设备(单晶线):志圣等离子刻蚀机和捷佳创去磷硅玻璃清洗机刻蚀工序简介等离子刻蚀机去磷硅玻璃清洗机刻蚀工序简介去PSG清洗工艺简介等离子刻蚀工艺简介工艺原理工艺要素程式的建立原理及目的工艺流程工艺细节检验及常
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级ConfidentialCopyright ? Visionox 2001-2008OLED光刻工艺 ---------------------2008-5-27 目
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