单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级Principle of Semiconductor Device教材：北京大学出版社曾树荣《半导体器件物理基础》教材分为两部分：第一部分半导体基本知识和pn结理论第二部分阐述主要半导体器件的基本原理和特性Principle of Semiconductor Device回去预习:半导体物理该课程可被应用于:集成电路制造和后端

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级外界影响光注入电注入光敏电阻电阻和电阻率1.2 晶格振动1.晶体原子离开其平衡位置的热振动2.声子概念3.电子和声子相互作用1.3 Carrier Transport Phenomenamobilityresistivity Basic Equation for Semiconductor-Device OperationRe

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第二章 pn结Diode Structure and Layout简单工艺步骤1.Substrate2.Oxidation3.光刻14.腐蚀SiO2开孔5.光刻26.扩硼7.光刻38.扩磷9.去胶10.金属淀积11.光刻412.反刻刻蚀13.光刻514.钝化15.后道2.1 Space Charge Region Forma

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级半导体器件物理习题讲解 第二章 热平衡时的能带和载流子浓度1. (a)硅中两最邻近原子的距离是多少解答: (a) 硅的晶体结构是金刚石晶格结构这种结构也属于面心立方晶体家族而且可被视为两个相互套构的面心立方副晶格此两个副晶