相关文档

• 半导体器件物理(2).ppt

  单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级外界影响光注入电注入光敏电阻电阻和电阻率1.2 晶格振动1.晶体原子离开其平衡位置的热振动2.声子概念3.电子和声子相互作用1.3 Carrier Transport Phenomenamobilityresistivity Basic Equation for Semiconductor-Device OperationRe

• 半导体物理器件_Chapter2-.ppt

  PN结第二章 PN结●热平衡PN结●加偏压的PN结●理想PN结的直流电流-电压特性●空间电荷区的复合电流和产生电流●隧道电流●I-V特性的温度依赖关系●耗尽层电容●小信号交流分析●电荷贮存和反向瞬变●PN结击穿引言PN结是几乎所有半导体器件的基本单元除金属－半导体接触器件外所有结型器件都由PN结构成PN结本身也是一种器件－整流器PN结含有丰富的物理知识掌握PN结的物理原理是学习其它半导体器件器件物

• 半导体器件物理(1).ppt

  单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级Principle of Semiconductor Device教材：北京大学出版社曾树荣《半导体器件物理基础》教材分为两部分：第一部分半导体基本知识和pn结理论第二部分阐述主要半导体器件的基本原理和特性Principle of Semiconductor Device回去预习:半导体物理该课程可被应用于:集成电路制造和后端

• 半导体器件物理课件5.ppt

  JFET和MESFET第五章 JFET 和MESFET●JFET的基本结构和工作过程●理想JFET的I-V特性●静态特性●小信号参数和等效电路●JFET的截止频率●夹断后的JFET性能●金属-半导体场效应晶体管●JFET和MESFET的类型●异质结MESFET和HEMT5.1 JFET的基本结构和工作过程 1.JFET的基本结构 图5-1 由两种工艺制成的 沟道JFET(a)外延—扩散工艺

• 18半导体器件－光电器件-半导体激光器2学时.ppt

  光电器件半导体激光器（注入式激光器、结激光器或激光二极管）Semiconductor Laser（Light amplification by stimulate emission of radiation;受激辐射光放大） 半导体激光器特点及应用特点：1、窄光谱线宽；2、高稳定性；3、低输入功率；4、结构简单；5、光线的高方向性、干涉行；6、高开关速度。应用：半导体激光器在低功率应用上可以连续（

• 第2章-半导体器件（2）.ppt

  安徽科技学院车辆工程专业由图可见晶体管的外部偏置条件是：电压源UBB通过电阻RB提供给发射结正向偏置而电压源UCC通过电阻RC加到集电极使集电结处于反向偏置 共射电流放大系数NPN型与PNP型晶体管电流电压的参考方向锗管饱和区 2 (2)集电极发射极反向击穿电压BU(BR)CEO第一章 半导体器件第二节 半导体三极管结构示意图UAKIG=IB11. AK极之间加反向电压令uAK ≤0晶闸管则处

• 第2章_半导体器件.ppt

  模拟电子学基础单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级复旦大学电子工程系 陈光梦第 2 章半导体器件2022451模拟电子学基础这一章我们要讨论什么本章研究半导体器件：半导体材料的特点半导体材料是如何构成的半导体电子元器件的半导体电子元器件有怎样的电路特性2022452模拟电子学基础历史简述19世纪末期无线电通信被发明当时采用金属粉末作为检波器件20世纪上半叶电真空器件成为电子学

• 第2章__半导体器件.ppt

  单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级 第2章 半导体器件 2.1 半导体特性和PN结 2.2 半导体二极管 2.3 半导体三极管 2.4 场效应管 本章小结 习题二2.1 半导体特性和PN结2.1.1 半导体特性 1．本征半导体 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体半导体是构成电

• 常用半导体器件2.ppt

  单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第一章 常用半导体器件1.1 半导体的基础知识1.3 双极型晶体管1.4 场效应管1.5 单结晶体管和晶闸管1.2 半导体二极管1.1 半导体基础知识 1.1.1 本征半导体 1.1.2 杂质半导体 1.1.3 PN结 1.1.1 本征半导体 根据物体导电能力(电阻率)的不同来划分导体绝缘体和半导体 一半导

• 半导体器件基础2.ppt

  #