IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)绝缘栅 HYPERLINK :baike.baiduview295815.htm t _blank 双极型晶体管是由BJT(双极型 HYPERLINK :baike.baiduview3794.htm t _blank 三极管)和MOS( HYPERLINK :

影响MOS管开关速度的因素1.概述　　MOSFET的原意是：MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体)FET(Field Effect Transistor场效应晶体管)即以金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管 在这里主要谈一下功率场效应晶体管即功率MOSFET功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型但通常主要指绝缘栅

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级电力电子技术在日常生活的应用胡耀尹电力电子技术是研究应用电力半导体开关器件实现电能的变换及控制的一门技术又称为功率电子技术 一前言二电力电子技术的发展电子电力技术是伴随着各种先进的电力电子器件不断开发完善而发展起来的1958年美国通用电气CG研制出第一个工业用普通晶闸管标志着电力电子的诞生1电力电子技术的发展前景电力电子技

第一章 mosfet基础知识自1976年开发出功率MOSFET以来由于半导体工艺技术的发展它的性能不断提高：如高压功率MOSFET其工作 HYPERLINK :.go-gddq2006-12409055.htm o 电压 电压可达1000V低导通 HYPERLINK :.go-gddq2006-12409057.htm o