相关文档

• mosfet原理.doc

  第一章 mosfet基础知识自1976年开发出功率MOSFET以来由于半导体工艺技术的发展它的性能不断提高：如高压功率MOSFET其工作 HYPERLINK :.go-gddq2006-12409055.htm o 电压 电压可达1000V低导通 HYPERLINK :.go-gddq2006-12409057.htm o

• MOSFET工作原理.doc

  MOSFET的原意是：MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体)FET(Field Effect Transistor场效应晶体管)即以金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管 功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型但通常主要指绝缘栅型中的MOS型(Metal Oxide Semiconductor FET)简称功率MO

• MOSFET与MOSFET驱动电路原理及利用.doc

  MOSFET与MOSFET驱动电路原理及利用下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结其中参考了一些非所有包含 MOS管的推选 特征驱动以及运用 电路　在运用 MOS管设计 HYPERLINK :.c114.netkeywordBFAAB9D8B5E7D4B4 t _blank 开关电源或者马达驱动电路的时候大部分人都会思虑 MOS的导通电阻最大电

• 功率场效应晶体管（MOSFET）原理.doc

  #

• MOSFET-Introduction.ppt

  ConfidentialMOSFET Introduction4. SA MOSFET Measurement一個NMOS的立體截面圖 飽合區(saturation region)當VGS>Vth且VDS>VGS-Vth這顆MOSFET為導通的狀況也形成了通道讓電流通過但是隨著汲極電壓增加超過閘極電壓時會使得接近汲極區的反轉電荷為零此處的通道消失這種狀況稱之為「夾止」(pinch-off)在這種狀

• MOSFET（2）.ppt

  1. FET 场效应晶体管LG（2）(2)(xw)A图1.沟道内元电阻dR示意图重写图1所示x和xdx之间的元电阻dRρ(xw)是点电荷密度（在这里不是电阻率） 是电导率σ 而 是沟道的元电导积分就是把所有的元电导按可加的方向加起来即是总电导耗尽层宽度w2是相对于电压VbiVG-VD其中VD =

• MOSFET选型.docx

  MOSFET选型 :

• 理解功率MOSFET的电流.doc

  理解功率MOSFET的电流通常在功率MOSFET的数据表中的第一页列出了连续漏极电流ID脉冲漏极电流IDM雪崩电流IAV的额定值然而对于许多电子工程师来说他们对于这些电流值的定义以及在实际的设计过程中它们如何影响系统以及如何选取这些电流值常常感到困惑不解本文将系统的阐述这些问题并说明在实际的应用过程中如何考虑这些因素最后给出选取它们的原则功率MOSFET的连续漏极电流连续漏极电流在功率MOSFET

• MOSFET驱动.pdf

  大功

• RU6050L--MOSFET管.pdf

  #