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集成电路工艺原理第十章 接触及互连原理INFO130024.01集成电路工艺原理 仇志军zjqiufudan.edu邯郸校区物理楼435室1大纲 第一章 前言第二章 晶体生长第三章 实验室净化及硅片清洗第四章 光刻第五章 热氧化第六章 热扩散第七章 离子注入第八章 薄膜淀积第九章 刻蚀第十章

INFO130024.01集成电路工艺原理第四章 光刻原理 (下)集成电路工艺原理 仇志军zjqiufudan.edu邯郸校区物理楼435室1上节课主要内容基于衍射理论的光刻原理投影式(远场衍射)：分辨率焦深MTF不相干度S接触接近式(近场衍射):最小尺寸光刻胶：正胶负胶光刻胶的组成i线g线(PAC)DUV(PAG)掩模版制作光刻机工作模式：接触式接近式投影式(扫描式步进式步进扫描式)2大

集成电路工艺原理第十一章 工艺集成INFO130024.01集成电路工艺原理 仇志军zjqiufudan.edu邯郸校区物理楼435室1大纲 第一章 前言第二章 晶体生长第三章 实验室净化及硅片清洗第四章 光刻第五章 热氧化第六章 热扩散第七章 离子注入第八章 薄膜淀积第九章 刻蚀第十章 接

集成电路工艺原理第十二章 未来趋势与挑战INFO130024.01集成电路工艺原理 仇志军zjqiufudan.edu邯郸校区物理楼435室1大纲 第一章 前言第二章 晶体生长第三章 实验室净化及硅片清洗第四章 光刻第五章 热氧化第六章 热扩散第七章 离子注入第八章 薄膜淀积第九章 刻蚀第十章

INFO130024.01集成电路工艺原理第四章 光刻原理 (上)集成电路工艺原理 仇志军zjqiufudan.edu邯郸校区物理楼435室1净化的三个层次：上节课主要内容净化级别高效净化净化的必要性器件：少子寿命?VT改变Ion? Ioff?栅击穿电压?可靠性?电路：产率?电路性能?杂质种类：颗粒有机物金属天然氧化层强氧化天然氧化层HF:DI H2O本征吸杂和非本征吸杂环境硅片清洗吸杂2大

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