单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级 VLSI设计导论 清华大学计算机系 2022461 集成电路与计算机 Design Manufacture Testing Packaging EDA Toolputer2022462
概 述第 7 章 大规模集成电路 随机存取存储器(RAM) 只读存储器(ROM) 71 概述数字电路集成度越来越大SSICMSICLSICVLSIC ASIC(专用集成电路)可编程逻辑器件可编程只读存储器(PROM)可编程可擦除只读存储器(EPROM)通用阵列逻辑(GAL ) 现场可编程门阵列 (FPGA) PLD使用前内部是“空的”,现有的设计自动化软件(QuartusⅡ、IES等)用硬件描述语
Click to edit Master titleClick to edit Master text stylesSecond levelThird levelFourth levelFifth level7: PowerCMOS VLSI DesignCMOS VLSI Design 4th Ed.Lecture 7: Power17: PowerOutlinePower and Energy
集成存储器 可编程逻辑器件 .1 只读存储器(ROM) 只读存储器是存储固定信息的存储器即事先将存储的信息或数据写入到存储器中在正常工作时只能重复读取所存储的信息代码而不能随意改写存储信息内容故称只读存储器简称ROM(Read Only Memory)ROM电路按存储信息的写入方式一般可分为固定ROM可编程ROM(PROM)和可擦除可编程ROM(EPROM) 固定ROM适用于产
分类:固定式ROM——内容在出厂时已被完全固定 可编程ROM(PROM)——出厂时全部存储 1用户可根据需要改写 重复可编程ROM(EPROM)——用紫外线或 X 射线照射时擦去然后又可重新编制信息D2010内 容D2 输入任意一个地址码译码器就可使与之对应的某条字线为高电平进而从位线上读出四位输出数字量D12可编程ROM(PROM)1
引言 半导体存储器用来存储大量的二值信息按照集成度划分它属于大规模集成电路(LSI)根据其结构和工作原理的不同工程中一般将半导体存储器分为只读存储器(ROM)和随机存取存储器(RAM)两大类 SRAM和DRAM这两类RAM的整体结构基本相同它们之间的不同点在于存储单元的结构和工作原理有所不同SRAM以静态触发器作为存储单元依靠触发器的自保持功能存储数据而DRAM以MOS管栅极电容的电荷存储效应
概 述第 7 章 大规模集成电路 随机存取存储器(RAM) 只读存储器(ROM) 71 概述数字电路集成度越来越大SSICMSICLSICVLSIC ASIC(专用集成电路)可编程逻辑器件可编程只读存储器(PROM)可编程可擦除只读存储器(EPROM)通用阵列逻辑(GAL ) 现场可编程门阵列 (FPGA) PLD使用前内部是“空的”,现有的设计自动化软件(QuartusⅡ、IES等)用硬件描述语
这门课是关于:晶体管级的模拟集成电路设计(使用CMOS工艺)chapter10稳定性及频率补偿第 1 章 绪 论模拟集成电路的应用结 论电 路 设 计版 图 设 计 电路性能会随工艺电源电压温度变化而改变在指定的PVT变化范围内电路性能的变化应在一个允许的范围内
串行进位二进制并行加法器超前进位二进制并行加法器
L o g oClick to edit Master title styleClick to edit Master text stylesSecond levelThird levelFourth levelFifth levelCMOS混合集成电路课件L o g o数字集成电路设计方法主讲:余国义:15307111121E-Mail:michelsunmail.hust.edu电子
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