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MOS器件高K栅介质薄膜材料研究.ppt
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级 MOS器件高K栅介质薄膜材料研究高K材料的基本特性与电学特性背景 随着45 am和32 am技术节点的来临传统的sio2作为栅介质薄膜材料的厚度需缩小到1 am之下材料的绝缘性可靠性等受到了极大的挑战已不能满足技术发展的要求高k材料成为代替Sio2作为栅介质薄层材料的不错选择但是大多数高k材料是离子金属氧化物其
日期：2022-04-11 格式：.pptx 页数：20页 大小：1.15MB 发布：
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